ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MMJT9435T1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MMJT9435T1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MMJT9435T1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 30 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 550mV @ 300mA, 3A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-223 (TO-261) | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 3 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 110MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 125 @ 800mA, 1V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | - | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 3 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MMJT94 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 3 (168 Hours) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MMJT9435T1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MMJT9435T1G | 2SD1664T100R | MMJT350T1G | TTC4116FU,LF |
| ผู้ผลิต | onsemi | Rohm Semiconductor | onsemi | Toshiba Semiconductor and Storage |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 550mV @ 300mA, 3A | 400mV @ 50mA, 500mA | - | 250mV @ 10mA, 100mA |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 3 A | 1 A | 500 mA | 150 mA |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 125 @ 800mA, 1V | 180 @ 100mA, 3V | 30 @ 50mA, 10V | 120 @ 2mA, 6V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 3 W | 2 W | 650 mW | 100 mW |
| ชุด | - | - | - | - |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 110MHz | 150MHz | - | 80MHz |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-223 (TO-261) | MPT3 | SOT-223 (TO-261) | SC-70 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MMJT94 | 2SD1664 | MMJT350 | TTC4116 |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | NPN | PNP | NPN |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 30 V | 32 V | 300 V | 50 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA | TO-243AA | TO-261-4, TO-261AA | SC-70, SOT-323 |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | - | 500nA (ICBO) | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MMJT9435T1G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MMJT9435T1G - onsemi
2SD1664T100RRohm SemiconductorTRANS NPN 32V 1A MPT3
MMJT9410AMI Semiconductor/onsemiMMJT350T1GonsemiTRANS PNP 300V 0.5A SOT223TTC4116FU,LFToshiba Semiconductor and StorageTRANS NPN 50V 0.15A SC70MMJT9410T1onsemiTRANS NPN 30V 3A SOT223
ZXT790AKTCDiodes IncorporatedTRANS PNP 40V 3A TO252-3MMJT9435T1onsemiTRANS PNP 30V 3A SOT223MMJT9435T3onsemiTRANS PNP 30V 3A SOT223MMJT9435T3GonsemiTRANS PNP 30V 3A SOT223MMJT9410 MOSAMI Semiconductor/onsemi
DSS5140V-7Diodes IncorporatedTRANS PNP 40V 1A SOT563
2N3904RLRAonsemiTRANS NPN 40V 0.2A TO922SD1207T-AEonsemiTRANS NPN 50V 2A TO92MMJT9410T1GonsemiTRANS NPN 30V 3A SOT223MMJT9435 MOSAMI Semiconductor/onsemiMMJT9435T1 MOSAMI Semiconductor/onsemi
2N4250Central Semiconductor CorpTRANS PNP 40V TO106
BC848BWT1GonsemiTRANS NPN 30V 0.1A SC70-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที