ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MMJT9410T1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MMJT9410T1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MMJT9410T1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 30 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 450mV @ 300mA, 3A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-223 (TO-261) | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 3 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 72MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 85 @ 800mA, 1V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | - | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 3 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MMJT94 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MMJT9410T1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MMJT9410T1G | ZTX457STOA | MJE182 | BC557BRL1G |
| ผู้ผลิต | onsemi | Diodes Incorporated | onsemi | onsemi |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 30 V | 300 V | 80 V | 45 V |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 72MHz | 75MHz | 50MHz | 320MHz |
| ชุด | - | - | - | - |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 85 @ 800mA, 1V | 50 @ 50mA, 10V | 50 @ 100mA, 1V | 180 @ 2mA, 5V |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | - | 100nA (ICBO) | - | 100nA |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 450mV @ 300mA, 3A | 300mV @ 10mA, 100mA | 300mV @ 50mA, 500mA | 650mV @ 5mA, 100mA |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA | E-Line-3, Formed Leads | TO-225AA, TO-126-3 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MMJT94 | ZTX457 | MJE182 | BC557 |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | NPN | NPN | PNP |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-223 (TO-261) | E-Line (TO-92 compatible) | TO-126 | TO-92 (TO-226) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 3 A | 500 mA | 3 A | 100 mA |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 3 W | 1 W | 12.5 W | 625 mW |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 200°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MMJT9410T1G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MMJT9410T1G - onsemi
ZTX457STOADiodes IncorporatedTRANS NPN 300V 0.5A E-LINEMJE182onsemiTRANS PWR NPN 3A 80V TO225AA
MMJT9410AMI Semiconductor/onsemiBC557BRL1GonsemiTRANS PNP 45V 0.1A TO92
BC808-25LT1onsemiTRANS PNP 25V 0.5A SOT23-3MMJT9410T1onsemiTRANS NPN 30V 3A SOT223
MMBT5087onsemiTRANS PNP 50V 0.1A SOT23-3MMJT350T1GonsemiTRANS PNP 300V 0.5A SOT223MMJT9435 MOSAMI Semiconductor/onsemiMMJT9435T1GonsemiTRANS PNP 30V 3A SOT223MMJT9410 MOSAMI Semiconductor/onsemi
MJD122-1GonsemiTRANS NPN DARL 100V 8A DPAKMMJT9435T1onsemiTRANS PNP 30V 3A SOT223MMJT9435T3onsemiTRANS PNP 30V 3A SOT223
BC847BMB,315Nexperia USA Inc.TRANS NPN 45V 0.1A DFN1006B-3MMJT9435T1 MOSAMI Semiconductor/onsemi
JAN2N3019AMicrochip TechnologySMALL-SIGNAL BJTMMJT9435T3GonsemiTRANS PNP 30V 3A SOT223| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที