ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MTP50P03HDLG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MTP50P03HDLG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MTP50P03HDLG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±15V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 25A, 5V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 125W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4900 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 100 nC @ 5 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 50A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MTP50 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MTP50P03HDLG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MTP50P03HDLG | MTP50P03HDL | MTP5N40E | MTP5P25 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | - | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V | 5V | - | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±15V | ±15V | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 25A, 5V | 25mOhm @ 25A, 5V | - | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 125W (Tc) | 125W (Tc) | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Bulk | Bulk |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 50A (Tc) | 50A (Tc) | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MTP50 | MTP50 | - | - |
| ชุด | - | - | * | * |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | TO-220 | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | - | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4900 pF @ 25 V | 4900 pF @ 25 V | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 100 nC @ 5 V | 100 nC @ 5 V | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | 30 V | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | - | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MTP50P03HDLG PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MTP50P03HDLG - onsemi
MTP5103N3-0-T1-GCYSTEKECMTP50P03HDLonsemiMOSFET P-CH 30V 50A TO220ABMTP4N80EAMI Semiconductor/onsemiMTP5103J3CYSTEKECMTP50N06EMOTOROLAMTP52N06VLMOTOROLAMTP5N40EonsemiN-CHANNEL POWER MOSFETMTP5N40VBSEMIMTP50N06VLAMI Semiconductor/onsemiMTP50N05EMOTOROLAMTP52N06VAMI Semiconductor/onsemiMTP50N05ELVBSEMIMTP50N06VAMI Semiconductor/onsemiMTP5P25onsemiP-CHANNEL POWER MOSFETMTP4N90AMI Semiconductor/onsemiMTP5P06VAMI Semiconductor/onsemiMTP50N06AMI Semiconductor/onsemiMTP5103N3CYSTEK| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที