ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MUR1100ERLG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MUR1100ERLG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MUR1100ERLG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.75 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | SWITCHMODE™ | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 100 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MUR1100 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MUR1100ERLG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MUR1100ERLG | MUR120 | MUR115RL | MUR120 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Yangjie Technology | onsemi | Diotec Semiconductor |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.75 V @ 1 A | 1.35 V @ 1 A | 875 mV @ 1 A | 875 mV @ 1 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MUR1100 | - | MUR11 | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | DO-41 | Axial | DO-41/DO-204AC |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AC, DO-41, Axial |
| ชุด | SWITCHMODE™ | - | SWITCHMODE™ | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 100 ns | 45 ns | 35 ns | 35 ns |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 1000 V | 5 µA @ 200 V | 2 µA @ 150 V | 5 µA @ 200 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Box (TB) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | 200 V | 150 V | 200 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -50°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -50°C ~ 175°C |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 20pF @ 4V, 1MHz | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MUR1100ERLG PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MUR1100ERLG - onsemi
MUR120Yangjie TechnologyDIODE GEN PURP 200V 1A DO41MUR115RLonsemiDIODE GEN PURP 150V 1A AXIALMUR120Diotec SemiconductorDIODE SFR DO-41 200V 1A
MUR110ERLGAMI Semiconductor/onsemiMUR120onsemiDIODE GEN PURP 200V 1A AXIALMUR1100EGonsemiDIODE GEN PURP 1KV 1A AXIALMUR115GonsemiDIODE GEN PURP 150V 1A AXIALMUR110onsemiDIODE GEN PURP 100V 1A AXIALMUR1100EonsemiDIODE ULTRA FAST 1A 1000V AXIALMUR1060Yangjie TechnologyTO-220AC 600V 10A Diodes RectiMUR110RLGonsemiDIODE GEN PURP 100V 1A AXIALMUR105RLGonsemiDIODE GEN PURP 50V 1A AXIALMUR1060FCBLMUR1060CTYangjie TechnologyTO-220AB 600V 10A Diodes RectiMUR1100NOIGBT ModuleMUR1060FYangjie TechnologyITO-220AC 600V 10A Diodes RectMUR115RLGonsemiDIODE GEN PURP 150V 1A AXIALMUR110GonsemiDIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที