ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MUR120
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Yangjie Technology - MUR120 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Yangjie Technology - MUR120
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Yangjie Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.35 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-41 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 45 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Box (TB) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -50°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Yangjie Technology MUR120
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MUR120 | MUR110G | MUR120G | MUR120 |
| ผู้ผลิต | Yangjie Technology | onsemi | onsemi | Diotec Semiconductor |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Box (TB) | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 200 V | 2 µA @ 100 V | 2 µA @ 200 V | 5 µA @ 200 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 45 ns | 35 ns | 35 ns | 35 ns |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.35 V @ 1 A | 875 mV @ 1 A | 875 mV @ 1 A | 875 mV @ 1 A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -50°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -50°C ~ 175°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AC, DO-41, Axial |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ชุด | - | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 100 V | 200 V | 200 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-41 | Axial | Axial | DO-41/DO-204AC |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
MUR110GonsemiDIODE GEN PURP 100V 1A AXIALMUR120GonsemiDIODE GEN PURP 200V 1A AXIALMUR1100NOIGBT ModuleMUR1220CTMURF12C20C
MUR110ERLGAMI Semiconductor/onsemiMUR120Diotec SemiconductorDIODE SFR DO-41 200V 1AMUR120RLGonsemiDIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
MUR120SR4Taiwan SemiconductorMUR1100EGonsemiDIODE GEN PURP 1KV 1A AXIALMUR120RLonsemiDIODE GEN PURP 200V 1A AXIALMUR115RLGonsemiDIODE GEN PURP 150V 1A AXIALMUR1100ERLGonsemiDIODE GEN PURP 1KV 1A AXIALMUR120onsemiDIODE GEN PURP 200V 1A AXIALMUR1100EonsemiDIODE ULTRA FAST 1A 1000V AXIALMUR115GonsemiDIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL
MUR120-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO204ACMUR115RLonsemiDIODE GEN PURP 150V 1A AXIALMUR110RLGonsemiDIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที