ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NCP81071BMNTXG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NCP81071BMNTXG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NCP81071BMNTXG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 20V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-WDFN (3x3) | |
| ชุด | - | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 8ns, 8ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-WDFN Exposed Pad | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 140°C (TJ) | |
| ความถี่ขาเข้า | 2 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 1.2V, 1.8V | |
| ประเภทขาเข้า | Non-Inverting | |
| ประเภทประตู | N-Channel MOSFET | |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Low-Side | |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 5A, 5A | |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Independent | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NCP81071 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NCP81071BMNTXG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NCP81071BMNTXG | NCP81071DDR2G | NCP81061MNTWG | NCP81071CDR2G |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | - | - | Surface Mount |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 8ns, 8ns | - | 16ns, 11ns | 8ns, 8ns |
| ประเภทขาเข้า | Non-Inverting | - | Non-Inverting | Inverting, Non-Inverting |
| ประเภทประตู | N-Channel MOSFET | - | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NCP81071 | NCP81071 | NCP81061 | NCP81071 |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Low-Side | - | Half-Bridge | Low-Side |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ชุด | - | * | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-WDFN Exposed Pad | - | - | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 1.2V, 1.8V | - | 1V, 2V | 1.2V, 1.8V |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Independent | - | Synchronous | Independent |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 20V | - | 4.5V ~ 13.2V | 4.5V ~ 20V |
| ความถี่ขาเข้า | 2 | - | 4 | 2 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-WDFN (3x3) | - | - | 8-SOIC |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 140°C (TJ) | - | -10°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 140°C (TJ) |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 5A, 5A | - | - | 5A, 5A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NCP81071BMNTXG PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NCP81071BMNTXG - onsemi
NCP81075AMI Semiconductor/onsemiNCP81071DDR2GonsemiNCP81071 - DUAL 5 LOW -SIDE DRIVNCP81061MNTWGonsemiIC GATE DRVR HALF-BRIDGE DL QFNNCP81071CDR2GonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICNCP81071BDR2AMI Semiconductor/onsemi
NCP81071BZR2GonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOPNCP81074BDR2GONsemiNCP81071AZR2GonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOPNCP81074ADR2GonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICNCP81075MNTXGonsemiIC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DFN
NCP81051MNTBGonsemiIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN
NCP81062MNTWGonsemiIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFNNCP81071ADR2GonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICNCP81061AMI Semiconductor/onsemiNCP81071AMNTXGonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8WDFNNCP81071BDR2GonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
NCP81074AMNTBGonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFNNCP81075DR2GonsemiIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที