ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NCP81075DR2G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NCP81075DR2G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NCP81075DR2G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 8.5V ~ 20V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| ชุด | - | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 8ns, 7ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 140°C (TJ) | |
| ความถี่ขาเข้า | 2 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.8V, 2.7V | |
| ประเภทขาเข้า | Non-Inverting | |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน) | 200 V | |
| ประเภทประตู | N-Channel MOSFET | |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | High-Side or Low-Side | |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 4A, 4A | |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Independent | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NCP81075 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NCP81075DR2G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NCP81075DR2G | NCP81080DR2G | NCP81075MNTXG | NCP81080MNTBG |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Independent | Synchronous | Independent | Synchronous |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | High-Side or Low-Side | Half-Bridge | High-Side or Low-Side | Half-Bridge |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 8ns, 7ns | 19ns, 17ns | 8ns, 7ns | 19ns, 17ns |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน) | 200 V | - | 200 V | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-DFN (4x4) | 8-DFN (2x2) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 140°C (TJ) | -40°C ~ 140°C (TJ) | -40°C ~ 140°C (TJ) | -40°C ~ 140°C (TJ) |
| ประเภทประตู | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-VDFN Exposed Pad | 8-VFDFN Exposed Pad |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 4A, 4A | 500mA, 800mA | 4A, 4A | 500mA, 800mA |
| ความถี่ขาเข้า | 2 | 2 | 2 | 2 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NCP81075 | NCP81080 | NCP81075 | NCP81080 |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.8V, 2.7V | 1.2V, 1.8V | 0.8V, 2.7V | 1.2V, 1.8V |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 8.5V ~ 20V | 5.5V ~ 20V | 8.5V ~ 20V | 5.5V ~ 20V |
| ประเภทขาเข้า | Non-Inverting | TTL | Non-Inverting | TTL |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NCP81075DR2G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NCP81075DR2G - onsemi
NCP81080DR2GonsemiIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICNCP81075MNTXGonsemiIC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DFN
NCP81074BDR2GONsemiNCP81080MNTBGonsemiIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFNNCP81078MNTBGonsemiIC MOSFET DRIVERNCP81074AMNTBGonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFNNCP81071DDR2GonsemiNCP81071 - DUAL 5 LOW -SIDE DRIVNCP81074ADR2GonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICNCP81081MNR2GonsemiIC HALF BRIDGE DRIVER 35A 40QFNNCP81071BMNTXGonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8WDFNNCP81101AMI Semiconductor/onsemi
NCP81071BZR2GonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOPNCP81071CDR2GonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICNCP81071BDR2GonsemiIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICNCP81101AAMI Semiconductor/onsemiNCP81075AMI Semiconductor/onsemi
NCP81075MTTXGonsemiIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10WDFNNCP81081AMI Semiconductor/onsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที