ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NGP15N41CLG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NGP15N41CLG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NGP15N41CLG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 440 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.2V @ 4V, 10A | |
| ทดสอบสภาพ | 300V, 6.5A, 1kOhm | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | -/4µs | |
| การสลับพลังงาน | - | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 107 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Logic | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 50 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 15 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NGP15 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NGP15N41CLG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NGP15N41CLG | ISL9V3040D3ST | HGT1S12N60A4DS | IKW30N60T |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | Infineon Technologies |
| ประเภท IGBT | - | - | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 107 W | 150 W | 167 W | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.2V @ 4V, 10A | 1.6V @ 4V, 6A | 2.7V @ 15V, 12A | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | - |
| ประเภทขาเข้า | Logic | Logic | Standard | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Bulk | - |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 50 A | - | 96 A | - |
| ชุด | - | EcoSPARK® | - | - |
| การสลับพลังงาน | - | - | 55µJ (on), 50µJ (off) | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NGP15 | ISL9V3040 | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 15 A | 21 A | 54 A | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | TO-252AA | TO-263AB | - |
| ทดสอบสภาพ | 300V, 6.5A, 1kOhm | 300V, 1kOhm, 5V | 390V, 12A, 10Ohm, 15V | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 440 V | 430 V | 600 V | - |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | -/4µs | -/4.8µs | 17ns/96ns | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NGP15N41CLG PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NGP15N41CLG - onsemi
ISL9V3040D3STonsemiIGBT 430V 21A TO252AAHGT1S12N60A4DSFairchild SemiconductorIGBT, 54A, 600V, N-CHANNEL, TO-2IKW30N60TInfineon TechnologiesIKW30N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
IRGS4086PBFInfineon TechnologiesIGBT 300V 70A 160W D2PAK
IRG4IBC20KDPBFInfineon TechnologiesIGBT 600V 11.5A 34W TO220FP
FGH30S130PonsemiIGBT 1300V 60A 500W TO-247ABIRGP4063DPBFInternational RectifierIRGP4063 - DISCRETE IGBT WITH ANFGH50T65SQD-F155onsemiIGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3
IRGR3B60KD2PBFInfineon TechnologiesIGBT 600V 7.8A 52W DPAK
FGPF70N30onsemiIGBT 300V 52W TO220FSGR6N60UFTMonsemiIGBT 600V 6A 30W DPAKIKP20N60TInfineon TechnologiesIKP20N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
STGB10H60DFSTMicroelectronicsIGBT 600V 20A 115W D2PAKIRG4BC20FD-SInfineon TechnologiesIGBT 600V 16A 60W D2PAKFGH50N6S2DFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
STGW20H60DFSTMicroelectronicsIGBT 600V 40A 167W TO247STGW30V60FSTMicroelectronicsIGBT 600V 60A 260W TO247
IXSX40N60CD1IXYSIGBT 600V 75A 280W PLUS247| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที