ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FGH50N6S2D
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FGH50N6S2D คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FGH50N6S2D
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 30A | |
| ทดสอบสภาพ | 390V, 30A, 3Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 13ns/55ns | |
| การสลับพลังงาน | 260µJ (on), 250µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 55 ns | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 463 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 70 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 240 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 75 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FGH50N6S2D
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FGH50N6S2D | FGH60N60SMD | FGH60N60SFTU | FGH40T65UPD |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Bulk | Tube |
| ประเภท IGBT | - | Field Stop | - | Trench Field Stop |
| ชุด | - | - | * | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | TO-247-3 | - | TO-247-3 |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 13ns/55ns | 18ns/104ns | - | 20ns/144ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 463 W | 600 W | - | 268 W |
| การสลับพลังงาน | 260µJ (on), 250µJ (off) | 1.26mJ (on), 450µJ (off) | - | 1.59mJ (on), 580µJ (off) |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 55 ns | 39 ns | - | 43 ns |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | - | Through Hole |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | - | Standard |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 240 A | 180 A | - | 120 A |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | - | 650 V |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.7V @ 15V, 30A | 2.5V @ 15V, 60A | - | 2.3V @ 15V, 40A |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 75 A | 120 A | - | 80 A |
| ทดสอบสภาพ | 390V, 30A, 3Ohm, 15V | 400V, 60A, 3Ohm, 15V | - | 400V, 40A, 7Ohm, 15V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | - | TO-247-3 |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 70 nC | 189 nC | - | 177 nC |
FGH60N60SMDonsemiIGBT FIELD STOP 600V 120A TO247FGH60N60SFTUFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGH40T65UPDonsemiIGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3FGH60N60SFDTUonsemiIGBT FIELD STOP 600V 120A TO247FGH50N3Fairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGH47N60FAMI Semiconductor/onsemiFGH50T65SQD-F155onsemiIGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3FGH50N3onsemiIGBT PT 300V 75A TO247-3FGH60N60SFFairchild (onsemi)FGH40T65SQDAMI Semiconductor/onsemiFGH50N6S2Fairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTFGH50N6S2onsemiIGBT 600V 75A 463W TO247FGH50N6S2DonsemiIGBT 600V 75A TO247-3FGH40T65SQD-F155onsemiIGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3FGH50T65UPDFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGH60N60SFTUonsemiIGBT FIELD STOP 600V 120A TO247FGH50T65UPDonsemiIGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3FGH40T70SHDFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที