ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NJT4030PT3G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NJT4030PT3G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NJT4030PT3G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 40 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 500mV @ 300mA, 3A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-223 (TO-261) | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 160MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 200 @ 1A, 1V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100nA (ICBO) | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 3 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NJT4030 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NJT4030PT3G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NJT4030PT3G | ZXTP4003ZTA | 2N5306 | PBSS4120T |
| ผู้ผลิต | onsemi | Diodes Incorporated | onsemi | Yangjie Technology |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 3 A | 1 A | 1.2 A | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2 W | 1.5 W | 625 mW | - |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | PNP | NPN - Darlington | - |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100nA (ICBO) | 50nA (ICBO) | 100nA (ICBO) | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NJT4030 | ZXTP4003 | 2N5306 | - |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 500mV @ 300mA, 3A | - | 1.4V @ 200µA, 200mA | - |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 200 @ 1A, 1V | 100 @ 150mA, 200mV | 7000 @ 2mA, 5V | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA | TO-243AA | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 160MHz | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 40 V | 100 V | 25 V | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-223 (TO-261) | SOT-89-3 | TO-92-3 | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NJT4030PT3G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NJT4030PT3G - onsemi
ZXTP4003ZTADiodes IncorporatedTRANS PNP 100V 1A SOT89-32N5306onsemiTRANS NPN DARL 25V 1.2A TO92-3PBSS4120TYangjie TechnologyTransistors - Bipolar (BJT) - Si
SMMBT5401LT1GonsemiTRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3NJT4031NT1GonsemiTRANS NPN 40V 3A SOT223
TIP32BSolid State Inc.TRANS PNP 80V 3A TO220DCP56-13Diodes IncorporatedTRANS NPN 80V 1A SOT223-3
NJT4030PONsemiZTX705Diodes IncorporatedTRANS PNP DARL 120V 1A E-LINEZTX792ADiodes IncorporatedTRANS PNP 70V 2A E-LINEZTX1051ASTZDiodes IncorporatedTRANS NPN 40V 4A E-LINENJT4030PT1GonsemiTRANS PNP 40V 3A SOT223
MMS9013-H-TPMicro Commercial CoInterfaceBCP6825TADiodes IncorporatedTRANS NPN 20V 1A SOT223-3
BC857BT116Rohm SemiconductorTRANS PNP 45V 0.1A SST3MJ14002onsemiTRANS PWR NPN 60A 80V TO3NJT4031NT3GonsemiTRANS NPN 40V 3A SOT223
FMMT617TADiodes IncorporatedTRANS NPN 15V 3A SOT23-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที