ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NRVUS1MFA
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NRVUS1MFA คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NRVUS1MFA
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-123FL | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123F | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NRVUS1 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NRVUS1MFA
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NRVUS1MFA | NRVUS110VT3G | NRVUD550PFT4G | NRVUS230T3G |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | 100 V | 520 V | 300 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | 2 µA @ 100 V | 5 µA @ 520 V | 5 µA @ 300 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NRVUS1 | NRVUS110 | NRVUD550 | NRVUS230 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-123FL | SMB | DPAK | SMB |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 1 A | 875 mV @ 1 A | 1.15 V @ 5 A | 1.3 V @ 2 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123F | DO-214AA, SMB | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DO-214AA, SMB |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 2A | 5A | 2A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns | 35 ns | 95 ns | 65 ns |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NRVUS1MFA PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NRVUS1MFA - onsemi
NRVUS110VT3GonsemiDIODE GEN PURP 100V 2A SMBNRVUD550PFT4GonsemiDIODE GEN PURP 520V 5A DPAKNRVUS230T3GonsemiDIODE GEN PURP 300V 2A SMBNRVUS220VT3GonsemiDIODE GEN PURP 200V 2A SMBNRVUS360VDBT3GonsemiDIODE GEN PURP 600V 3A SMBNRVUS230VT3GonsemiDIODE GEN PURP 300V 2A SMBNRVUS1KFAonsemiDIODE GEN PURP 800V 1A SOD123FLNRVUS1JFAonsemiDIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FLNRVUS1FFAonsemiDIODE GEN PURP 300V 1A SOD123FLNRVUS240T3GonsemiDIODE GEN PURP 400V 2A SMBNRVUS120VT3GonsemiDIODE GEN PURP 200V 2A SMB
NRVUD620CTT4GonsemiDIODE ARRAY GP 200V 3A DPAKNRVUS1DFAonsemiDIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FL
NRVUS2GAonsemiDIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214ACNRVUHS160VT3GonsemiDIODE GEN PURP 600V 1A SMBNRVUS360VBT3GonsemiDIODE GEN PURP 600V 3A SMBNRVUS240VT3GonsemiDIODE GEN PURP 400V 2A SMBNRVUS160VT3GonsemiDIODE GEN PURP 600V 2A SMB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที