ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NTMD2C02R2
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NTMD2C02R2 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NTMD2C02R2
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.2V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 43mOhm @ 4A, 4.5V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1100pF @ 10V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 20nC @ 4.5V | |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 5.2A, 3.4A | |
| องค์ประกอบ | N and P-Channel | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTMD2C |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NTMD2C02R2
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NTMD2C02R2 | NTMD3P03R2G | NTMC1300R2 | NTMD2C02R2G |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTMD2C | NTMD3 | NTMC13 | NTMD2C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 5.2A, 3.4A | 2.34A | 2.2A, 1.8A | 5.2A, 3.4A |
| องค์ประกอบ | N and P-Channel | 2 P-Channel (Dual) | N and P-Channel | N and P-Channel |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 20nC @ 4.5V | 25nC @ 10V | 5nC @ 4.5V | 20nC @ 4.5V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.2V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 1.2V @ 250µA |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 43mOhm @ 4A, 4.5V | 85mOhm @ 3.05A, 10V | 90mOhm @ 3A, 10V | 43mOhm @ 4A, 4.5V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20V | 30V | 30V | 20V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2W | 730mW | 2W | 2W |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1100pF @ 10V | 750pF @ 24V | 300pF @ 20V | 1100pF @ 10V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NTMD2C02R2 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NTMD2C02R2 - onsemi
NTMD3P03R2GonsemiMOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOICNTMC1300R2onsemiMOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
NTMD3N03MOTNTMD2C02R2GonsemiMOSFET N/P-CH 20V 8SOICNTMD3N08LR2GVBSEMINTMD2P01R2GonsemiMOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOICNTMD3N08LR2onsemiMOSFET PWR N-CHAN DUAL 80V 8SOIC
NTMD4184PAMI Semiconductor/onsemiNTM2369-T1BNECNTMD4820NR2GonsemiMOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOICNTMD4102PR2GVBSEMI
NTMD3P03R2onsemiMOSFET PWR P-CHAN DUAL 30V 8SOICNTMD4184PFR2GonsemiDUAL P-CHANNEL FETKY POWER MOSFENTM2369NECNTM2369-T2BNECNTMC083NP10M5LonsemiNTMC083NP10M5LNTMD4820NAMI Semiconductor/onsemiNTM3906NEC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที