ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NTMS4N01R2
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NTMS4N01R2 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NTMS4N01R2
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| Vgs (สูงสุด) | ±10V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 4.2A, 4.5V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 770mW (Ta) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTMS4N |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NTMS4N01R2
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NTMS4N01R2 | NTMS4920NR2G | NTMS5838NLR2G | NTMS5835NLR2G |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 770mW (Ta) | 820mW (Ta) | 1.5W (Ta) | 1.5W (Ta) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 4.2A, 4.5V | 4.3mOhm @ 7.5A, 10V | 25mOhm @ 7A, 10V | 10mOhm @ 10A, 10V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTMS4N | NTMS4920 | NTMS58 | NTMS58 |
| Vgs (สูงสุด) | ±10V | ±20V | ±20V | ±20V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NTMS4N01R2 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NTMS4N01R2 - onsemi
NTMS4920NR2GonsemiMOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC
NTMS4916UT001AMI Semiconductor/onsemiNTMS5838NLR2GonsemiMOSFET N-CH 40V 5.8A 8SOICNTMS5835NLR2GonsemiMOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOICNTMS4917NR2GonsemiMOSFET N-CH 30V 7.1A 8SOICNTMS4937NR2GonsemiMOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOICNTMS7N03R2onsemiMOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOICNTMS4939NR2GonsemiMOSFET N-CH 30V 8A 8SOICNTMS4916AS001AMI Semiconductor/onsemiNTMS5P02R2G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTMS5835NLAMI Semiconductor/onsemiNTMS5P02R2onsemiMOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOICNTMS5P02R2GonsemiMOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOICNTMS4935NR2GonsemiMOSFET N-CH 30V 10A 8SOICNTMS7N03R2GonsemiMOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOICNTMS4N01R2GonsemiMOSFET N-CH 20V 3.3A 8SOICNTMS4916NR2GonsemiMOSFET N-CH 30V 7.8A 8SOICNTMS4917UT001AMI Semiconductor/onsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที