ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NTMS5P02R2
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NTMS5P02R2 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NTMS5P02R2
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.25V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 5.4A, 4.5V | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1900 pF @ 16 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 35 nC @ 4.5 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 7.05A (Tj) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTMS5P |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NTMS5P02R2
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NTMS5P02R2 | NTMSD2P102LR2 | NTMS4920NR2G | NTMS4935NR2G |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 5.4A, 4.5V | 90mOhm @ 2.4A, 4.5V | 4.3mOhm @ 7.5A, 10V | 5.1mOhm @ 7.5A, 10V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| คุณสมบัติ FET | - | Schottky Diode (Isolated) | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.25V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 3V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTMS5P | NTMSD2 | NTMS4920 | NTMS49 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | 20 V | 30 V | 30 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1900 pF @ 16 V | 750 pF @ 16 V | 4068 pF @ 25 V | 3639 pF @ 25 V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ชุด | - | FETKY™ | - | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 7.05A (Tj) | 2.3A (Ta) | 10.6A (Ta) | 10A (Ta) |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 35 nC @ 4.5 V | 18 nC @ 4.5 V | 58.9 nC @ 10 V | 52.1 nC @ 10 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NTMS5P02R2 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NTMS5P02R2 - onsemi
NTMSD2P102LR2onsemiMOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOICNTMS4920NR2GonsemiMOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOICNTMS4935NR2GonsemiMOSFET N-CH 30V 10A 8SOICNTMS5P02R2GonsemiMOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOICNTMS7N03R2GonsemiMOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC
NTMS7N03R2R2GAMI Semiconductor/onsemiNTMSD3P102R2onsemiMOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC
NTMS4N01R2onsemiMOSFET PWR N-CHAN 4.2A 20V 8SOICNTMS4N01R2GonsemiMOSFET N-CH 20V 3.3A 8SOICNTMS7N03R2onsemiMOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOICNTMS4937NR2GonsemiMOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOICNTMS5835NLR2GonsemiMOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOICNTMSD2P102R2onsemiMOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOICNTMS5P02R2G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTMS5835NLAMI Semiconductor/onsemiNTMS5838NLR2GonsemiMOSFET N-CH 40V 5.8A 8SOICNTMSD3P102R2SGonsemiMOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOICNTMS4939NR2GonsemiMOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที