ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NTP30N06LG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NTP30N06LG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NTP30N06LG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±15V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 15A, 5V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 88.2W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1150 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 32 nC @ 5 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 30A (Ta) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTP30N |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NTP30N06LG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NTP30N06LG | NTP30N06L | NTP2955G | NTP18N06LG |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| ชุด | - | - | - | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 15A, 5V | 46mOhm @ 15A, 5V | 196mOhm @ 12A, 10V | 100mOhm @ 7.5A, 5V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 88.2W (Tc) | 88.2W (Tc) | 2.4W (Ta), 62.5W (Tc) | 48.4W (Tc) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTP30N | NTP30N | NTP2955 | NTP18N |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 30A (Ta) | 30A (Ta) | 2.4A (Ta) | 15A (Tc) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 32 nC @ 5 V | 32 nC @ 5 V | 14 nC @ 10 V | 20 nC @ 5 V |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1150 pF @ 25 V | 1150 pF @ 25 V | 700 pF @ 25 V | 440 pF @ 25 V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| Vgs (สูงสุด) | ±15V | ±15V | ±20V | ±10V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V | 5V | 10V | 5V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NTP30N06LG PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NTP30N06LG - onsemi
NTP30N06LonsemiMOSFET N-CH 60V 30A TO220ABNTP2955GonsemiMOSFET P-CH 60V 2.4A TO220ABNTP18N06LGonsemiMOSFET N-CH 60V 15A TO220AB
NTP3000NEOFIDELITYNTP3100NEOFIDELITYNTP2955onsemiMOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB
NTP3103-E2LAPIS TechnologyNTP3105-E2LAPIS Technology
NTP190N65S3HFonsemiMOSFET N-CH 650V 20A TO220-3NTP3105B-E2LAPIS TechnologyNTP4302onsemiMOSFET N-CH 30V 74A TO220ABNTP227M6.3TRD(40)NTCNTP27N06GonsemiMOSFET N-CH 60V 27A TO220ABNTP45N06onsemiMOSFET N-CH 60V 45A TO220AB
NTP3055L104GAMI Semiconductor/onsemiNTP30N20GonsemiMOSFET N-CH 200V 30A TO220ABNTP337M6.3TRD(40)FNICNTP35N15GonsemiMOSFET N-CH 150V 37A TO220AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที