ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NTP4302
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NTP4302 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NTP4302
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 37A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 80W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2400 pF @ 24 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 28 nC @ 4.5 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 74A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTP430 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NTP4302
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NTP4302 | NTP30N20G | NTP30N06LG | NTP52N10 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 28 nC @ 4.5 V | 100 nC @ 10 V | 32 nC @ 5 V | 135 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2400 pF @ 24 V | 2335 pF @ 25 V | 1150 pF @ 25 V | 3150 pF @ 25 V |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 37A, 10V | 81mOhm @ 15A, 10V | 46mOhm @ 15A, 5V | 30mOhm @ 26A, 10V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 74A (Tc) | 30A (Ta) | 30A (Ta) | 60A (Ta) |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 10V | 5V | 10V |
| ชุด | - | - | - | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±30V | ±15V | ±20V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 80W (Tc) | 214W (Tc) | 88.2W (Tc) | 214W (Tc) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | 200 V | 60 V | 100 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NTP430 | NTP30N | NTP30N | NTP52N |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NTP4302 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NTP4302 - onsemi
NTP4806NGAMI Semiconductor/onsemiNTP30N20GonsemiMOSFET N-CH 200V 30A TO220AB
NTP337M6.3TRD(40)FNIC
NTP3105B-E2LAPIS TechnologyNTP30N06LGonsemiMOSFET N-CH 60V 30A TO220ABNTP52N10onsemiMOSFET N-CH 100V 60A TO220ABNTP45N06LGonsemiMOSFET N-CH 60V 45A TO220ABNTP477M04TDRNICNTP5001HITACHINTP3103-E2LAPIS TechnologyNTP45N06onsemiMOSFET N-CH 60V 45A TO220ABNTP30N06LonsemiMOSFET N-CH 60V 30A TO220ABNTP3105-E2LAPIS TechnologyNTP3100NEOFIDELITYNTP35N15GonsemiMOSFET N-CH 150V 37A TO220ABNTP45N06LonsemiMOSFET N-CH 60V 45A TO220ABNTP45N06GonsemiMOSFET N-CH 60V 45A TO220ABNTP4804NGAMI Semiconductor/onsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที