ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NV24C08MUW3VLTBG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NV24C08MUW3VLTBG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NV24C08MUW3VLTBG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 4ms | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 5.5V | |
| เทคโนโลยี | EEPROM | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-UDFN (2x3) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100 | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-UFDFN Exposed Pad | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 8Kbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 1K x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | I²C | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | EEPROM | |
| ความถี่นาฬิกา | 1 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NV24C08 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 450 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NV24C08MUW3VLTBG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NV24C08MUW3VLTBG | MT29F64G08AECABH1-10Z:A | MX25L3255DXCI-10G | AT25160N-10SI-2.7 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Micron Technology Inc. | Macronix | Microchip Technology |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100 | - | MXSMIO™ | - |
| ความถี่นาฬิกา | 1 MHz | 100 MHz | 104 MHz | 3 MHz |
| องค์กรหน่วยความจำ | 1K x 8 | 8G x 8 | 4M x 8 | 2K x 8 |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | I²C | Parallel | SPI | SPI |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-UDFN (2x3) | 100-VBGA (12x18) | 24-CSPBGA (6x8) | 8-SOIC |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 5.5V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 5.5V |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-UFDFN Exposed Pad | 100-VBGA | 24-TBGA, CSPBGA | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NV24C08 | MT29F64G08 | MX25L3255 | AT25160 |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 4ms | - | 300µs, 5ms | 5ms |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| เทคโนโลยี | EEPROM | FLASH - NAND | FLASH - NOR | EEPROM |
| ขนาดหน่วยความจำ | 8Kbit | 64Gbit | 32Mbit | 16Kbit |
| เวลาในการเข้าถึง | 450 ns | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tray | Tray | Tube |
| รูปแบบหน่วยความจำ | EEPROM | FLASH | FLASH | EEPROM |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NV24C08MUW3VLTBG PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NV24C08MUW3VLTBG - onsemi
MT29F64G08AECABH1-10Z:AMicron Technology Inc.IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGAMX25L3255DXCI-10GMacronixIC FLASH 32MBIT SPI 24CSPBGAAT25160N-10SI-2.7Microchip TechnologyIC EEPROM 16KBIT SPI 3MHZ 8SOIC
NV24C32DWVLT3GonsemiIC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
MT48LC8M16A2B4-75 IT:GMicron Technology Inc.IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
NV2955GAMI Semiconductor/onsemi
NV221CNDSPNV25256MUW3VTBGonsemiIC EEPROM 256KBIT SPI 8UDFNNV24C64DWVLT3GonsemiIC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
CY14B256LA-SZ45XITInfineon TechnologiesIC NVSRAM 256KBIT PAR 32SOICNV24C256MUW3VTBGonsemiIC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8UDFNNV23KCZ0.57-DC12V
IS45S16320F-7BLA2ISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
W25Q128JVFIQWinbond ElectronicsIC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOICNV221-PANDSP
CY7C109B-15ZXCInfineon TechnologiesIC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP INV25640DWHFT3GONsemiAT34C02CN-SH-BMicrochip TechnologyIC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที