ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NV25256MUW3VTBG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NV25256MUW3VTBG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NV25256MUW3VTBG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 5ms | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.8V ~ 5.5V | |
| เทคโนโลยี | EEPROM | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-UDFN (2x3) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100 | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-UFDFN Exposed Pad | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 256Kbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 32K x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | SPI | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | EEPROM | |
| ความถี่นาฬิกา | 10 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NV25256 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 40 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NV25256MUW3VTBG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NV25256MUW3VTBG | BR9020RFV-WE2 | SST39VF512-70-4C-WHE | W631GU8KB-15 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Rohm Semiconductor | Microchip Technology | Winbond Electronics |
| เวลาในการเข้าถึง | 40 ns | - | 70 ns | 20 ns |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.8V ~ 5.5V | 2V ~ 5.5V | 2.7V ~ 3.6V | 1.283V ~ 1.45V |
| รูปแบบหน่วยความจำ | EEPROM | EEPROM | FLASH | DRAM |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-UFDFN Exposed Pad | 8-LSSOP (0.173', 4.40mm Width) | 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) | 78-TFBGA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tray | Tray |
| เทคโนโลยี | EEPROM | EEPROM | FLASH | SDRAM - DDR3L |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 5ms | 10ms | 20µs | - |
| ความถี่นาฬิกา | 10 MHz | 2 MHz | - | 667 MHz |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | SPI | SPI | Parallel | Parallel |
| องค์กรหน่วยความจำ | 32K x 8 | 128 x 16 | 64K x 8 | 128M x 8 |
| ขนาดหน่วยความจำ | 256Kbit | 2Kbit | 512Kbit | 1Gbit |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-UDFN (2x3) | 8-SSOP-B | 32-TSOP | 78-WBGA (10.5x8) |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Volatile |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 95°C (TC) |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100 | - | SST39 MPF™ | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NV25256 | BR9020 | SST39VF512 | W631GU8 |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NV25256MUW3VTBG PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NV25256MUW3VTBG - onsemi
BR9020RFV-WE2Rohm SemiconductorIC EEPROM 2KBIT SPI 2MHZ 8SSOPBSST39VF512-70-4C-WHEMicrochip TechnologyIC FLASH 512KBIT PARALLEL 32TSOPW631GU8KB-15Winbond ElectronicsIC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
MT29F4G08ABAEAWP-IT:EMicron Technology Inc.IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP INV24C08MUW3VLTBGonsemiIC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 8UDFN
NV24C64DWVLT3GonsemiIC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
IS45S16400J-7BLA2-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 64MBIT PAR 54TFBGANV24C256MUW3VTBGonsemiIC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8UDFN
NV221-PANDSP
AT27C040-90PIMicrochip TechnologyIC EPROM 4MBIT PARALLEL 32DIP
S29GL512T11FHIV10Infineon TechnologiesIC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
NV2955GAMI Semiconductor/onsemiNV24C32DWVLT3GonsemiIC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8SOICNV23KCZ0.57-DC12VS29GL256P90FAIR12Infineon TechnologiesIC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA
AT25040A-10PI-1.8Microchip TechnologyIC EEPROM 4KBIT SPI 20MHZ 8DIPNV221CNDSPNV25640DWHFT3GONsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที