ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RFP22N10
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - RFP22N10 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - RFP22N10
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 22A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 100W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 150 nC @ 20 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 22A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFP22 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi RFP22N10
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RFP22N10 | RFP15P05 | RFP15N05L | RFP15P05 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Harris Corporation | Harris Corporation | onsemi |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 5V | 10V |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 150 nC @ 20 V | 150 nC @ 20 V | - | 150 nC @ 20 V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 22A (Tc) | 15A (Tc) | 15A (Tc) | 15A (Tc) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 50 V | 50 V | 50 V |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 22A, 10V | 150mOhm @ 15A, 10V | 140mOhm @ 15A, 5V | 150mOhm @ 15A, 10V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±10V | ±20V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 100W (Tc) | 80W (Tc) | 60W (Tc) | 80W (Tc) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFP22 | - | - | RFP15 |
| ประเภท FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล RFP22N10 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ RFP22N10 - onsemi
RFP15P05Harris CorporationMOSFET P-CH 50V 15A TO220-3RFP15N05LHarris CorporationMOSFET N-CH 50V 15A TO220-3
RFP15N06LFairchild (onsemi)RFP15P05onsemiMOSFET P-CH 50V 15A TO220-3RFP250-50TCRFPOWERRFP25N05Fairchild (onsemi)
RFP1589 3dBAnaren Wireless / TTM TechnologiesRFP15N05LFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 50V 15A TO220-3RFP25N05L F25N05LHARRISRFP15N08LHarris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETRFP2N08LVBSEMIRFP25N06Fairchild (onsemi)RFP25N05LHarris CorporationN-CHANNEL, MOSFETRFP15N05Fairchild (onsemi)RFP15N05LonsemiMOSFET N-CH 50V 15A TO220-3RFP250-50RMRFPOWERRFP25-10RFPOWER
RFP18N10Intersil (Renesas Electronics Corporation)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที