ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RFP15N08L
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Harris Corporation - RFP15N08L คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Harris Corporation - RFP15N08L
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±10V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 7.5A, 5V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 72W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 80 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 15A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Harris Corporation RFP15N08L
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RFP15N08L | RFP22N10 | RFP15P05 | RFP14N05L |
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | onsemi | onsemi | onsemi |
| ชุด | - | - | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 1mA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V | 10V | 10V | 5V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 80 nC @ 10 V | 150 nC @ 20 V | 150 nC @ 20 V | 40 nC @ 10 V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 80 V | 100 V | 50 V | 50 V |
| Vgs (สูงสุด) | ±10V | ±20V | ±20V | ±10V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 7.5A, 5V | 80mOhm @ 22A, 10V | 150mOhm @ 15A, 10V | 100mOhm @ 14A, 5V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 72W (Tc) | 100W (Tc) | 80W (Tc) | 48W (Tc) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 15A (Tc) | 22A (Tc) | 15A (Tc) | 14A (Tc) |
RFP250-50RMRFPOWERRFP22N10onsemiMOSFET N-CH 100V 22A TO220-3RFP15P05onsemiMOSFET P-CH 50V 15A TO220-3RFP150-100RLRFPOWERRFP14N05LonsemiMOSFET N-CH 50V 14A TO220-3
RFP18N10Intersil (Renesas Electronics Corporation)
RFP1589 3dBAnaren Wireless / TTM Technologies
RFP25N05Fairchild (onsemi)RFP15N06LFairchild (onsemi)RFP15P05Harris CorporationMOSFET P-CH 50V 15A TO220-3RFP15N05LFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 50V 15A TO220-3RFP25N05LHarris CorporationN-CHANNEL, MOSFETRFP15N05Fairchild (onsemi)RFP250-50TCRFPOWERRFP150-50TGRFPOWERRFP15N05LHarris CorporationMOSFET N-CH 50V 15A TO220-3RFP15N05LonsemiMOSFET N-CH 50V 15A TO220-3RFP1562-20POWER| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที