ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RFP30N06LE
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - RFP30N06LE คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - RFP30N06LE
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | +10V, -8V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 30A, 5V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 96W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1350 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 62 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 30A (Ta) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFP30 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi RFP30N06LE
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RFP30N06LE | RFP3055LE | RFP4N05L | RFP30P05 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | 3V @ 250µA | - | 4V @ 250µA |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 96W (Tc) | 38W (Tc) | - | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - |
| Vgs (สูงสุด) | +10V, -8V | ±16V | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 60 V | - | 50 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | - | TO-220-3 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 30A (Ta) | 11A (Tc) | - | 30A (Tc) |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | - | P-Channel |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | TO-220-3 | - | TO-220-3 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | - | Through Hole |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 62 nC @ 10 V | 11.3 nC @ 10 V | - | 170 nC @ 20 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1350 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V | - | 3200 pF @ 25 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFP30 | RFP30 | - | RFP30 |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V | 5V | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 30A, 5V | 107mOhm @ 8A, 5V | - | 65mOhm @ 30A, 10V |
| ชุด | - | - | * | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล RFP30N06LE PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ RFP30N06LE - onsemi
RFP3055LEonsemiMOSFET N-CH 60V 11A TO220-3
RFP4N05LS2515RFP4N05LFairchild Semiconductor4A, 50V, 0.8OHM, N-CHANNEL MOSFERFP30P05onsemiMOSFET P-CH 50V 30A TO220-3RFP30N05RFP3055LE MOSFairchild (onsemi)RFP2N08LVBSEMIRFP3055onsemiMOSFET N-CH 60V 12A TO220-3RFP2N15Harris CorporationN-CHANNEL, MOSFETRFP30P06onsemiMOSFET P-CH 60V 30A TO220-3RFP40N10onsemiMOSFET N-CH 100V 40A TO220-3
RFP47N10Intersil (Renesas Electronics Corporation)RFP45N06Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 45A TO220-3RFP25P06INTESILRFP45N06 MOSFairchild (onsemi)RFP2N20LFairchild (onsemi)RFP30N06EFairchild (onsemi)RFP45N06onsemiMOSFET N-CH 60V 45A TO220-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที