ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RFP2N15
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Harris Corporation - RFP2N15 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Harris Corporation - RFP2N15
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.75Ohm @ 2A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 25W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 200 pF @ 25 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 150 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2A (Tc) |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | RoHS ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | Vendor Undefined |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Harris Corporation RFP2N15
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RFP2N15 | RFP30P05 | RFP25N05L | RFP3055 |
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | onsemi | Harris Corporation | onsemi |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2A (Tc) | 30A (Tc) | 25A (Tc) | 12A (Tc) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 25W (Tc) | - | 60W (Tc) | 53W (Tc) |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 150 V | 50 V | 50 V | 60 V |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | - | 4V, 5V | 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 200 pF @ 25 V | 3200 pF @ 25 V | - | 300 pF @ 25 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.75Ohm @ 2A, 10V | 65mOhm @ 30A, 10V | 47mOhm @ 25A, 5V | 150mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | - | ±10V | ±20V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Bulk | Tube |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ประเภท FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220 | TO-220-3 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
RFP30P05onsemiMOSFET P-CH 50V 30A TO220-3RFP25N05LHarris CorporationN-CHANNEL, MOSFETRFP250-50TCRFPOWERRFP2N08LVBSEMI
RFP25N05Fairchild (onsemi)RFP3055onsemiMOSFET N-CH 60V 12A TO220-3RFP2N20LFairchild (onsemi)RFP25N06Fairchild (onsemi)RFP3055LEonsemiMOSFET N-CH 60V 11A TO220-3RFP30N06EFairchild (onsemi)RFP30N06LEonsemiMOSFET N-CH 60V 30A TO220-3RFP30P06onsemiMOSFET P-CH 60V 30A TO220-3RFP25P06INTESILRFP30N05RFP2N12LVBsemiRFP25N05L F25N05LHARRISRFP250-50RMRFPOWERRFP3055LE MOSFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที