ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BUZ73A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Harris Corporation - BUZ73A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Harris Corporation - BUZ73A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-3 | |
| ชุด | SIPMOS® | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4.5A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 40W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 530 pF @ 25 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 5.5A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Harris Corporation BUZ73A
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BUZ73A | BUZ73AL | BUZ73L | BUZ73A |
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 530 pF @ 25 V | 840 pF @ 25 V | 840 pF @ 25 V | 530 pF @ 25 V |
| ชุด | SIPMOS® | SIPMOS® | SIPMOS® | SIPMOS® |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 40W (Tc) | 40W (Tc) | 40W (Tc) | 40W (Tc) |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 5V | 5V | 10V |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-3 | PG-TO220-3 | PG-TO220-3 | PG-TO220-3 |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 1mA | 2V @ 1mA | 2V @ 1mA | 4V @ 1mA |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4.5A, 10V | 600mOhm @ 3.5A, 5V | 400mOhm @ 3.5A, 5V | 600mOhm @ 4.5A, 10V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 5.5A (Tc) | 5.5A (Tc) | 7A (Tc) | 5.5A (Tc) |
BUZ73AL HCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BUZ72LCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BUZ61ACypress Semiconductor (Infineon Technologies)BUZ53ASSTBUZ57ASiemensIGBT ModuleBUZ73 HCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BUZ73ALInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3BUZ73ALHCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BUZ73L HCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BUZ58ASiemensIGBT ModuleBUZ73LInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 7A TO220-3BUZ73AInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
BUZ71ASTMicroelectronicsBUZ72AInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETBUZ74ASiemensBUZ77ASiemensBUZ73A HInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3BUZ50CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที