ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BUZ73L
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - BUZ73L คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - BUZ73L
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 1mA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-3 | |
| ชุด | SIPMOS® | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 3.5A, 5V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 40W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 840 pF @ 25 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 7A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies BUZ73L
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BUZ73L | BUZ73A | BUZ80A | BUZ72A |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Harris Corporation | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 7A (Tc) | 5.5A (Tc) | 3.6A (Tc) | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 3.5A, 5V | 600mOhm @ 4.5A, 10V | 3Ohm @ 2A, 10V | - |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 840 pF @ 25 V | 530 pF @ 25 V | 1350 pF @ 25 V | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V | 10V | 10V | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | 200 V | 800 V | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| ชุด | SIPMOS® | SIPMOS® | SIPMOS® | * |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-3 | PG-TO220-3 | TO-220AB | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 40W (Tc) | 40W (Tc) | 100W (Tc) | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BUZ73L PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ BUZ73L - Infineon Technologies
BUZ73AL HCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BUZ73AHarris CorporationMOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3BUZ78 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BUZ91ASiemensBUZ73 HCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BUZ80AInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 800V 3.6A TO220ABBUZ73L HCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BUZ73ALHCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BUZ72LCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BUZ77ASiemensBUZ80FICypress Semiconductor (Infineon Technologies)BUZ72AInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETBUZ90AINFBUZ73ALInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
BUZ90AFFairchild (onsemi)BUZ73A HInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3BUZ73AInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3BUZ74ASiemens| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที