ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IDP15E60
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IDP15E60 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IDP15E60
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2 V @ 15 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-2 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | IDP | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 87 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 29.2A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IDP15E60
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IDP15E60 | IDP23E60 | IDP06E60 | IDP04E120 |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 1200 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2 V @ 15 A | 2 V @ 23 A | 2 V @ 6 A | 2.15 V @ 4 A |
| ชุด | IDP | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 29.2A | 41A | 14.7A | 11.2A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 600 V | 50 µA @ 600 V | 50 µA @ 600 V | 100 µA @ 1200 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-2 | PG-TO220-2-2 | PG-TO220-2-2 | PG-TO220-2-2 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 87 ns | 120 ns | 70 ns | 115 ns |
IDP30C65D2XKSA1Infineon TechnologiesDIODE 650V 30A RAPID2 TO220-3IDP30C65D2Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDP23E60Infineon TechnologiesDIODE GP 600V 41A TO220-2-2IDP06E60Infineon TechnologiesDIODE GEN PURP 600V 14.7A TO220IDP09E60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDP08E65D2Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDP30E120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT Module
IDP2303XUMA1Infineon TechnologiesIC OFFLINE SW HALF-BRDG 16DSOIDP04E120Infineon TechnologiesDIODE GEN PURP 1.2KV 11.2A TO220IDP12E120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDP15E60XKSA1Infineon TechnologiesDIODE GP 600V 29.2A TO220-2-2IDP18E120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDP09E120Infineon TechnologiesDIODE GEN PURP 1.2KV 23A TO220-2IDP2301Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDP2301-3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDP20E65D2XKSA1Infineon TechnologiesDIODE GP 650V 40A TO220-2-1IDP08E65D1Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDP12E120 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที