ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IDP23E60
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IDP23E60 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IDP23E60
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2 V @ 23 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-2-2 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 120 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 41A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IDP23E |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IDP23E60
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IDP23E60 | IDP30E60 | IDP20E65D2XKSA1 | IDP15E60 |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ชุด | - | - | - | IDP |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 600 V | - | 40 µA @ 650 V | 50 µA @ 600 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | - | TO-220-2 | TO-220-2 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | - | 650 V | 600 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-2-2 | - | PG-TO220-2-1 | PG-TO220-2 |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IDP23E | - | IDP20E65 | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 120 ns | - | 32 ns | 87 ns |
| เทคโนโลยี | Standard | - | Standard | Standard |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | - | -40°C ~ 175°C | -40°C ~ 175°C |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 41A | - | 40A | 29.2A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2 V @ 23 A | - | 2.2 V @ 20 A | 2 V @ 15 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | - | Tube | Bulk |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | - | Through Hole | Through Hole |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IDP23E60 PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IDP23E60 - Infineon Technologies
IDP30E60Infineon TechnologiesIDP30E60 - SILICON POWER DIODEIDP20E65D2XKSA1Infineon TechnologiesDIODE GP 650V 40A TO220-2-1IDP30C65D2Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDP15E60Infineon TechnologiesDIODE GP 600V 29.2A TO220-2IDP15E60XKSA1Infineon TechnologiesDIODE GP 600V 29.2A TO220-2-2IDP30E120XKSA1Infineon TechnologiesDIODE GP 1.2KV 50A TO220-2-2
IDP2303XUMA1Infineon TechnologiesIC OFFLINE SW HALF-BRDG 16DSOIDP30E120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDP40E65D2XKSA1Infineon TechnologiesDIODE GEN PURP 650V 40A TO220-2IDP12E120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT Module
IDP30C65D2XKSA1Infineon TechnologiesDIODE 650V 30A RAPID2 TO220-3IDP30E65D1Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDP45E60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDP2301-3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDP2301Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDP30E120 D30E120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDP12E120 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDP18E120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที