ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IDT06S60C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IDT06S60C คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IDT06S60C
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 6 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-2-2 | |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| ชุด | thinQ!™ | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 80 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 6A (DC) | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 280pF @ 1V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IDT06S60C
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IDT06S60C | IDT02S60C | IDT10S60C | IDT12S60C |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 280pF @ 1V, 1MHz | 60pF @ 1V, 1MHz | 480pF @ 1V, 1MHz | 530pF @ 1V, 1MHz |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 80 µA @ 600 V | 15 µA @ 600 V | 140 µA @ 600 V | 160 µA @ 600 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 6 A | 2.4 V @ 3 A | 1.7 V @ 10 A | 1.7 V @ 12 A |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ชุด | thinQ!™ | - | thinQ!™ | thinQ!™ |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-2-2 | PG-TO220-2 | PG-TO220-2-2 | PG-TO220-2-2 |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns | 0 ns | 0 ns | 0 ns |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 6A (DC) | 3A | 10A (DC) | 12A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
IDT08S60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDT08S60C D08S60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDT02S60CInfineon TechnologiesDIODE SIL CARB 600V 3A TO220-2IDT10S60CInfineon TechnologiesDIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2
IDT1337AGDCGI8IDT (Renesas Electronics Corporation)IDT12S60CInfineon TechnologiesDIODE SIL CARB 600V 12A TO220-2IDT10S60C D10S60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDT10494S5YIDT (Renesas Electronics Corporation)IDT10480S15DIDT (Renesas Electronics Corporation)IDT03S60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDT117637-27IDT (Renesas Electronics Corporation)IDT05S60CHKSA1Infineon TechnologiesDIODE SCHOTTKY 600V TO220-2IDT04S60CInfineon TechnologiesRECTIFIER DIODE, SCHOTTKYIDT05S60CINFINEONTECHIDT06S60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDT08S60CInfineon TechnologiesDIODE SIL CARB 600V 8A TO220-2IDT10474S-7DFIDT (Renesas Electronics Corporation)IDT06S60C D06S60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที