Name: Infineon Technologies IPA60R080P7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPA60R080P7XKSA1
Price: 3.009 USD
Availability: InStock

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

จำนวน	ราคาต่อหน่วย	ราคารวม
1+	$5.99	$5.99
10+	$5.384	$53.84
100+	$4.411	$441.10
500+	$3.755	$1,877.50
1000+	$3.167	$3,167.00
2000+	$3.009	$6,018.00

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	4V @ 590µA
Vgs (สูงสุด)	±20V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	PG-TO220-FP
ชุด	CoolMOS™ P7
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	80mOhm @ 11.8A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	29W (Tc)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-220-3 Full Pack
บรรจุุภัณฑ์	Tube

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	2180 pF @ 400 V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	51 nC @ 10 V
ประเภท FET	N-Channel
คุณสมบัติ FET	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	600 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	37A (Tc)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPA60R080

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	IPA60R080P7XKSA1	IPA50R650CE	IPA60R060C7XKSA1	IPA60R120C7
ผู้ผลิต	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Rochester Electronics, LLC
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	29W (Tc)	27.2W (Tc)	34W (Tc)	-
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3 Full Pack	-
บรรจุุภัณฑ์	Tube	Tube	Tube	Bulk
ประเภท FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	-
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	PG-TO220-FP	PG-TO220-FP	PG-TO220-FP	-
ชุด	CoolMOS™ P7	CoolMOS™	CoolMOS™ C7	-
คุณสมบัติ FET	-	-	-	-
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	51 nC @ 10 V	15 nC @ 10 V	68 nC @ 10 V	-
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	4V @ 590µA	3.5V @ 150µA	4V @ 800µA	-
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	600 V	500 V	600 V	-
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	37A (Tc)	6.1A (Tc)	16A (Tc)	-
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-
Vgs (สูงสุด)	±20V	±20V	±20V	-
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPA60R080	IPA50R	IPA60R060	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	10V	13V	10V	-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	80mOhm @ 11.8A, 10V	650mOhm @ 1.8A, 13V	60mOhm @ 15.9A, 10V	-
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole	Through Hole	Through Hole	-
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	-
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	2180 pF @ 400 V	342 pF @ 100 V	2850 pF @ 400 V	-

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

IPA60R080P7XKSA1 - Infineon Technologies

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

IPA60R080P7XKSA1 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค