Name: Infineon Technologies IPA60R080P7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPA60R080P7XKSA1

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	4V @ 590µA
Vgs (สูงสุด)	±20V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	PG-TO220-FP
ชุด	CoolMOS™ P7
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	80mOhm @ 11.8A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	29W (Tc)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-220-3 Full Pack
บรรจุุภัณฑ์	Tube

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	2180 pF @ 400 V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	51 nC @ 10 V
ประเภท FET	N-Channel
คุณสมบัติ FET	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	600 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	37A (Tc)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPA60R080

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	IPA60R080P7XKSA1	IPA60R060P7XKSA1	IPA60R060C7XKSA1	IPA60R099P6XKSA1
ผู้ผลิต	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	29W (Tc)	29W (Tc)	34W (Tc)	34W (Tc)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3 Full Pack
บรรจุุภัณฑ์	Tube	Tube	Tube	Tube
ประเภท FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	PG-TO220-FP	PG-TO220-FP	PG-TO220-FP	PG-TO220-FP
ชุด	CoolMOS™ P7	CoolMOS™ P7	CoolMOS™ C7	CoolMOS™ P6
คุณสมบัติ FET	-	-	-	-
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	51 nC @ 10 V	67 nC @ 10 V	68 nC @ 10 V	70 nC @ 10 V
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	4V @ 590µA	4V @ 800µA	4V @ 800µA	4.5V @ 1.21mA
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	600 V	600 V	600 V	600 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	37A (Tc)	48A (Tc)	16A (Tc)	37.9A (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (สูงสุด)	±20V	±20V	±20V	±20V
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPA60R080	IPA60R060	IPA60R060	IPA60R099
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	10V	10V	10V	10V
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	80mOhm @ 11.8A, 10V	60mOhm @ 15.9A, 10V	60mOhm @ 15.9A, 10V	99mOhm @ 14.5A, 10V
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	2180 pF @ 400 V	2895 pF @ 400 V	2850 pF @ 400 V	3330 pF @ 100 V

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

IPA60R080P7XKSA1 - Infineon Technologies

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

IPA60R080P7XKSA1 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค