Name: Infineon Technologies IPA60R099P7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPA60R099P7XKSA1
Price: 2.534 USD
Availability: InStock

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

จำนวน	ราคาต่อหน่วย	ราคารวม
1+	$5.05	$5.05
10+	$4.534	$45.34
100+	$3.715	$371.50
500+	$3.163	$1,581.50
1000+	$2.667	$2,667.00
2000+	$2.534	$5,068.00

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	4V @ 530µA
Vgs (สูงสุด)	±20V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	PG-TO220-FP
ชุด	CoolMOS™ P7
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	99mOhm @ 10.5A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	29W (Tc)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-220-3 Full Pack
บรรจุุภัณฑ์	Tube

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	1952 pF @ 400 V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	45 nC @ 10 V
ประเภท FET	N-Channel
คุณสมบัติ FET	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	600 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	31A (Tc)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPA60R099

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	IPA60R099P7XKSA1	IPA60R060P7XKSA1	IPA60R080P7	IPA60R080P7XKSA1
ผู้ผลิต	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	PG-TO220-FP	PG-TO220-FP	-	PG-TO220-FP
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	600 V	600 V	-	600 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	31A (Tc)	48A (Tc)	-	37A (Tc)
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	99mOhm @ 10.5A, 10V	60mOhm @ 15.9A, 10V	-	80mOhm @ 11.8A, 10V
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPA60R099	IPA60R060	-	IPA60R080
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	4V @ 530µA	4V @ 800µA	-	4V @ 590µA
บรรจุุภัณฑ์	Tube	Tube	Bulk	Tube
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	10V	10V	-	10V
Vgs (สูงสุด)	±20V	±20V	-	±20V
คุณสมบัติ FET	-	-	-	-
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	45 nC @ 10 V	67 nC @ 10 V	-	51 nC @ 10 V
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole	Through Hole	-	Through Hole
ชุด	CoolMOS™ P7	CoolMOS™ P7	*	CoolMOS™ P7
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	29W (Tc)	29W (Tc)	-	29W (Tc)
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	-	MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	1952 pF @ 400 V	2895 pF @ 400 V	-	2180 pF @ 400 V
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภท FET	N-Channel	N-Channel	-	N-Channel
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3 Full Pack	-	TO-220-3 Full Pack

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

IPA60R099P7XKSA1 - Infineon Technologies

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

IPA60R099P7XKSA1 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค