ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IPA60R099P7XKSA1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IPA60R099P7XKSA1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IPA60R099P7XKSA1
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 530µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-FP | |
ชุด | CoolMOS™ P7 | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 10.5A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 29W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1952 pF @ 400 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 31A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IPA60R099 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IPA60R099P7XKSA1
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IPA60R099P7XKSA1 | IPA60R125CFD7XKSA1 | IPA60R125CP | IPA60R120C7 |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Rochester Electronics, LLC |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-FP | PG-TO220 Full Pack | PG-TO220-3-31 | - |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | 600 V | 600 V | - |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 31A (Tc) | 11A (Tc) | 25A (Tc) | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 10.5A, 10V | 125mOhm @ 7.8A, 10V | 125mOhm @ 16A, 10V | - |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IPA60R099 | IPA60R | - | - |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 530µA | 4.5V @ 390µA | 3.5V @ 1.1mA | - |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Bulk | Bulk |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | - |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 45 nC @ 10 V | 36 nC @ 10 V | 70 nC @ 10 V | - |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
ชุด | CoolMOS™ P7 | OptiMOS™ | CoolMOS® | - |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 29W (Tc) | 32W (Tc) | 35W (Tc) | - |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1952 pF @ 400 V | 1503 pF @ 400 V | 2500 pF @ 100 V | - |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IPA60R099P7XKSA1 PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IPA60R099P7XKSA1 - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที