Name: Infineon Technologies IPG20N10S4L22ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N10S4L22ATMA1

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	2.1V @ 25µA
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	PG-TDSON-8-4
ชุด	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	22mOhm @ 17A, 10V
เพาเวอร์ - แม็กซ์	60W
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	8-PowerVDFN
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	1755pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	27nC @ 10V
คุณสมบัติ FET	Logic Level Gate
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	100V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	20A
องค์ประกอบ	2 N-Channel (Dual)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPG20N

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	IPG20N10S4L22ATMA1	IPG20N06S4L14AATMA1	IPG20N06S4L11ATMA2	IPG20N06S4L11ATMA1
ผู้ผลิต	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
เพาเวอร์ - แม็กซ์	60W	50W	65W (Tc)	65W
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	100V	60V	60V	60V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	22mOhm @ 17A, 10V	13.7mOhm @ 17A, 10V	11.2mOhm @ 17A, 10V	11.2mOhm @ 17A, 10V
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
องค์ประกอบ	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount	Surface Mount, Wettable Flank	Surface Mount, Wettable Flank	Surface Mount
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IPG20N	IPG20N	IPG20N	IPG20N
คุณสมบัติ FET	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate
ชุด	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	1755pF @ 25V	2890pF @ 25V	4020pF @ 25V	4020pF @ 25V
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	2.1V @ 25µA	2.2V @ 20µA	2.2V @ 28µA	2.2V @ 28µA
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	PG-TDSON-8-4	PG-TDSON-8-10	PG-TDSON-8-10	PG-TDSON-8-4
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	27nC @ 10V	39nC @ 10V	53nC @ 10V	53nC @ 10V
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	8-PowerVDFN	8-PowerVDFN	8-PowerVDFN	8-PowerVDFN
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	20A	20A	20A (Tc)	20A

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

IPG20N10S4L22ATMA1 - Infineon Technologies

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

IPG20N10S4L22ATMA1 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค