ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IR2011PBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IR2011PBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IR2011PBF
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 10V ~ 20V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-PDIP | |
| ชุด | - | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 35ns, 20ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-DIP (0.300', 7.62mm) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| ความถี่ขาเข้า | 2 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.7V, 2.2V | |
| ประเภทขาเข้า | Inverting | |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน) | 200 V | |
| ประเภทประตู | N-Channel MOSFET | |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | High-Side or Low-Side | |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 1A, 1A | |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Independent | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IR2011 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IR2011PBF
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IR2011PBF | IR2010PBF | IR2011STRPBF | IR2010STRPBF |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ประเภทประตู | N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
| ชุด | - | - | - | - |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Independent | Independent | Independent | Independent |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-PDIP | 14-DIP | 8-SOIC | 16-SOIC |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-DIP (0.300', 7.62mm) | 14-DIP (0.300', 7.62mm) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IR2011 | IR2010 | IR2011 | IR2010 |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.7V, 2.2V | 6V, 9.5V | 0.7V, 2.2V | 6V, 9.5V |
| ความถี่ขาเข้า | 2 | 2 | 2 | 2 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน) | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 35ns, 20ns | 10ns, 15ns | 35ns, 20ns | 10ns, 15ns |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | High-Side or Low-Side | Half-Bridge | High-Side or Low-Side | Half-Bridge |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 1A, 1A | 3A, 3A | 1A, 1A | 3A, 3A |
| ประเภทขาเข้า | Inverting | Non-Inverting | Inverting | Non-Inverting |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IR2011PBF PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IR2011PBF - Infineon Technologies
IR2004STRPBF.IRIR2010PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIPIR2011STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOICIR2010STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOICIR2011SInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOICIR2015SIRIR2010IRIR2011SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOICIR20153STRPBF.IRIR2003IRFIR2010STRPBF.IRIR2010SIRIR2011STRInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOICIR20153STRIRIR20153SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIR20153STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIR20153SIRIR2010SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที