ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IR20153SPBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IR20153SPBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IR20153SPBF
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 5V ~ 20V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| ชุด | - | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 200ns, 100ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ความถี่ขาเข้า | 1 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 1.4V, 3V | |
| ประเภทขาเข้า | Inverting | |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน) | 150 V | |
| ประเภทประตู | N-Channel MOSFET | |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | High-Side | |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 1.5A, 1.5A | |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Single | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IR20153 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IR20153SPBF
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IR20153SPBF | IR20153STRPBF | IR2011PBF | IR2011SPBF |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-DIP (0.300', 7.62mm) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
| ความถี่ขาเข้า | 1 | 1 | 2 | 2 |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Single | Single | Independent | Independent |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| ประเภทขาเข้า | Inverting | Inverting | Inverting | Inverting |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | High-Side | High-Side | High-Side or Low-Side | High-Side or Low-Side |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IR20153 | IR20153 | IR2011 | IR2011 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-PDIP | 8-SOIC |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 1.5A, 1.5A | 1.5A, 1.5A | 1A, 1A | 1A, 1A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| ประเภทประตู | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 200ns, 100ns | 200ns, 100ns | 35ns, 20ns | 35ns, 20ns |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน) | 150 V | 150 V | 200 V | 200 V |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 1.4V, 3V | 1.4V, 3V | 0.7V, 2.2V | 0.7V, 2.2V |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 5V ~ 20V | 5V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IR20153SPBF PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IR20153SPBF - Infineon Technologies
IR20153STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
IR2015STRIRIR2011PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIPIR2011SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOICIR2011SInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOICIR20153STRPBF.IR
IR2010STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOICIR2015SPBFIRIR2011STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOICIR2010STRPBF.IRIR2011STRInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOICIR2010SIRIR2015SIRIR2015STRPBF.IRIR20153STRIRIR20153SIR
IR204-AEverlight Electronics Co LtdEMITTER IR 940NM 100MA RADIALIR2010SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที