ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRF7739L2TRPBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ International Rectifier - IRF7739L2TRPBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ International Rectifier - IRF7739L2TRPBF
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DIRECTFET L8 | |
ชุด | HEXFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1mOhm @ 160A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3.8W (Ta), 125W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DirectFET™ Isometric L8 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 11880 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 330 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 40 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 46A (Ta), 375A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ International Rectifier IRF7739L2TRPBF
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRF7739L2TRPBF | IRF7726TR | IRF7739L2TR1PBF | IRF7726TRPBF |
ผู้ผลิต | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 11880 pF @ 25 V | 2204 pF @ 25 V | 11880 pF @ 25 V | 2204 pF @ 25 V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 40 V | 30 V | 40 V | 30 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 330 nC @ 10 V | 69 nC @ 10 V | 330 nC @ 10 V | 69 nC @ 10 V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 46A (Ta), 375A (Tc) | 7A (Ta) | 46A (Ta), 375A (Tc) | 7A (Ta) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DirectFET™ Isometric L8 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | DirectFET™ Isometric L8 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3.8W (Ta), 125W (Tc) | 1.79W (Ta) | 3.8W (Ta), 125W (Tc) | 1.79W (Ta) |
ชุด | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
ประเภท FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DIRECTFET L8 | Micro8™ | DirectFET™ Isometric L8 | Micro8™ |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1mOhm @ 160A, 10V | 26mOhm @ 7A, 10V | 1mOhm @ 160A, 10V | 26mOhm @ 7A, 10V |
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที