ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRF7748L1TRPBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IRF7748L1TRPBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IRF7748L1TRPBF
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DIRECTFET L6 | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 89A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3.3W (Ta), 94W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DirectFET™ Isometric L6 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 8075 pF @ 50 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 220 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 28A (Ta), 148A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRF7748 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IRF7748L1TRPBF
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
|
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRF7748L1TRPBF | IRF7707TRPBF | IRF7749L1TRPBF | IRF7739L2TRPBF |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier |
ประเภท FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 89A, 10V | 22mOhm @ 7A, 4.5V | 1.5mOhm @ 120A, 10V | 1mOhm @ 160A, 10V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 220 nC @ 10 V | 47 nC @ 4.5 V | 300 nC @ 10 V | 330 nC @ 10 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 2.5V, 4.5V | 10V | 10V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DirectFET™ Isometric L6 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | DirectFET™ Isometric L8 | DirectFET™ Isometric L8 |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 20 V | 60 V | 40 V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 1.2V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
ชุด | - | HEXFET® | - | HEXFET® |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 28A (Ta), 148A (Tc) | 7A (Ta) | 33A (Ta), 200A (Tc) | 46A (Ta), 375A (Tc) |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3.3W (Ta), 94W (Tc) | 1.5W (Ta) | 3.3W (Ta), 125W (Tc) | 3.8W (Ta), 125W (Tc) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DIRECTFET L6 | 8-TSSOP | DirectFET™ Isometric L8 | DIRECTFET L8 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 8075 pF @ 50 V | 2361 pF @ 15 V | 12320 pF @ 25 V | 11880 pF @ 25 V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRF7748 | - | IRF7749 | - |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±12V | ±20V | ±20V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRF7748L1TRPBF PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IRF7748L1TRPBF - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที