ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRFSL4229PBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IRFSL4229PBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IRFSL4229PBF
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-262 | |
ชุด | HEXFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 26A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 330W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4560 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 250 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 45A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IRFSL4229PBF
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRFSL4229PBF | IRFSL4321PBF | IRFSL3607PBF | IRFSL4228PBF |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 45A (Tc) | 85A (Tc) | 80A (Tc) | 83A (Tc) |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±30V | ±20V | ±30V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 250 V | 150 V | 75 V | 150 V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-262 | TO-262 | TO-262 | TO-262 |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 26A, 10V | 15mOhm @ 33A, 10V | 9mOhm @ 46A, 10V | 15mOhm @ 33A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4560 pF @ 25 V | 4460 pF @ 25 V | 3070 pF @ 50 V | 4530 pF @ 25 V |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 330W (Tc) | 350W (Tc) | 140W (Tc) | 330W (Tc) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 100µA | 5V @ 250µA |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ชุด | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 84 nC @ 10 V | 107 nC @ 10 V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRFSL4229PBF PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IRFSL4229PBF - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? [AddToCartTip]未找到翻译