ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRFSL4310ZPBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ International Rectifier - IRFSL4310ZPBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ International Rectifier - IRFSL4310ZPBF
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 150µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-262 | |
ชุด | HEXFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 75A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 250W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 6860 pF @ 50 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 170 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 120A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ International Rectifier IRFSL4310ZPBF
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRFSL4310ZPBF | IRFSL4310PBF | IRFSL4127PBF | IRFSL5615PBF |
ผู้ผลิต | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 100 V | 200 V | 150 V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 120A (Tc) | 130A (Tc) | 72A (Tc) | 33A (Tc) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 170 nC @ 10 V | 250 nC @ 10 V | 150 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 250W (Tc) | 300W (Tc) | 375W (Tc) | 144W (Tc) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | - | 10V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 6860 pF @ 50 V | 7670 pF @ 50 V | 5380 pF @ 50 V | 1750 pF @ 50 V |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | - | ±20V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-262 | TO-262 | TO-262 | TO-262 |
ชุด | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 75A, 10V | 7mOhm @ 75A, 10V | 22mOhm @ 44A, 10V | 42mOhm @ 21A, 10V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 150µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 100µA |
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที