ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRFSL5615PBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IRFSL5615PBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IRFSL5615PBF
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 100µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-262 | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 21A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 144W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1750 pF @ 50 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 40 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 150 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 33A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRFSL5615 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IRFSL5615PBF
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRFSL5615PBF | IRFSL9N60A | IRFSL7537PBF | IRFSL4610PBF |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 144W (Tc) | 170W (Tc) | 230W (Tc) | 190W (Tc) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 33A (Tc) | 9.2A (Tc) | 173A (Tc) | 73A (Tc) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 6V, 10V | 10V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-262 | TO-262-3 | TO-262 | TO-262 |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 40 nC @ 10 V | 49 nC @ 10 V | 210 nC @ 10 V | 140 nC @ 10 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ชุด | - | - | HEXFET®, StrongIRFET™ | HEXFET® |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±30V | ±20V | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1750 pF @ 50 V | 1400 pF @ 25 V | 7020 pF @ 25 V | 3550 pF @ 50 V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 100µA | 4V @ 250µA | 3.7V @ 150µA | 4V @ 100µA |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 21A, 10V | 750mOhm @ 5.5A, 10V | 3.3mOhm @ 100A, 10V | 14mOhm @ 44A, 10V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 150 V | 600 V | 60 V | 100 V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRFSL5615 | IRFSL9 | IRFSL7537 | - |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRFSL5615PBF PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ IRFSL5615PBF - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที