ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SGP10N60A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - SGP10N60A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - SGP10N60A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.4V @ 15V, 10A | |
| ทดสอบสภาพ | 400V, 10A, 25Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 28ns/178ns | |
| การสลับพลังงาน | 320µJ | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-3-1 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 92 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | NPT | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 52 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 40 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 20 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SGP10N60 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies SGP10N60A
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SGP10N60A | SGP13N60UFDTU | SGP10N60RUFDTU | SGP10N60RUFDTU |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 40 A | 52 A | 30 A | 30 A |
| ทดสอบสภาพ | 400V, 10A, 25Ohm, 15V | 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V | 300V, 10A, 20Ohm, 15V | 300V, 10A, 20Ohm, 15V |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 92 W | 60 W | 75 W | 75 W |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Bulk |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SGP10N60 | SGP13N60 | SGP10N60 | SGP10N60 |
| ประเภท IGBT | NPT | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 28ns/178ns | 20ns/70ns | 15ns/36ns | 15ns/36ns |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 20 A | 13 A | 16 A | 16 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| การสลับพลังงาน | 320µJ | 85µJ (on), 95µJ (off) | 141µJ (on), 215µJ (off) | 141µJ (on), 215µJ (off) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-3-1 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 52 nC | 25 nC | 30 nC | 30 nC |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ชุด | - | - | - | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.4V @ 15V, 10A | 2.6V @ 15V, 6.5A | 2.8V @ 15V, 10A | 2.8V @ 15V, 10A |
SGP15N120 GP15N120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SGP02N120 GP02N120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SGP13N60UFDTUFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTSGP10N60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SGP13N60VFDSECSGP04N60 G04N60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SGP10N60RUFDTUonsemiIGBT 600V 16A TO220-3SGP07N120 GP07N120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SGP10N60RUFDTUFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOSGP15N120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
SGP07N120XKSA1Infineon TechnologiesIGBT 1200V 16.5A 125W TO220SGP101SZFSCSGP06N60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SGP04N60InfineonSGP07N120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SGP13N60UFDFSCSGP13N60UFDTUonsemiIGBT 600V 13A 60W TO220SGP15N60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที