ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SGP10N60RUFDTU
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - SGP10N60RUFDTU คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - SGP10N60RUFDTU
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.8V @ 15V, 10A | |
| ทดสอบสภาพ | 300V, 10A, 20Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 15ns/36ns | |
| การสลับพลังงาน | 141µJ (on), 215µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 60 ns | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 75 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 30 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 30 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 16 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SGP10N60 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor SGP10N60RUFDTU
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SGP10N60RUFDTU | SGP07N120XKSA1 | SGP10N60A | SGP13N60UFDTU |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | Infineon Technologies | Infineon Technologies | onsemi |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.8V @ 15V, 10A | 3.6V @ 15V, 8A | 2.4V @ 15V, 10A | 2.6V @ 15V, 6.5A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SGP10N60 | SGP07N | SGP10N60 | SGP13N60 |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 60 ns | - | - | 55 ns |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 16 A | 16.5 A | 20 A | 13 A |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 1200 V | 600 V | 600 V |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 15ns/36ns | 27ns/440ns | 28ns/178ns | 20ns/70ns |
| ทดสอบสภาพ | 300V, 10A, 20Ohm, 15V | 800V, 8A, 47Ohm, 15V | 400V, 10A, 25Ohm, 15V | 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 30 nC | 70 nC | 52 nC | 25 nC |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 75 W | 125 W | 92 W | 60 W |
| ประเภท IGBT | - | NPT | NPT | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Bulk | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| การสลับพลังงาน | 141µJ (on), 215µJ (off) | 1mJ | 320µJ | 85µJ (on), 95µJ (off) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | PG-TO220-3-1 | PG-TO220-3-1 | TO-220-3 |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 30 A | 27 A | 40 A | 52 A |
SGP07N120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SGP15N60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SGP06N60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SGP04N60InfineonSGP2010SSILICONGEARSGP07N120XKSA1Infineon TechnologiesIGBT 1200V 16.5A 125W TO220SGP101SZFSCSGP10N60AInfineon TechnologiesIGBT, 20A, 600V, N-CHANNELSGP13N60UFDFSCSGP10N60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SGP15N120 GP15N120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SGP13N60VFDSECSGP15N120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SGP04N60 G04N60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SGP13N60UFDTUonsemiIGBT 600V 13A 60W TO220SGP07N120 GP07N120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
SGP13N60UFDTUFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTSGP10N60RUFDTUonsemiIGBT 600V 16A TO220-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที