Name: Infineon Technologies SPN02N60C3 E6433
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPN02N60C3 E6433

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	3.9V @ 80µA
Vgs (สูงสุด)	±20V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	PG-SOT223-4
ชุด	CoolMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	2.5Ohm @ 1.1A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	1.8W (Ta)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-261-4, TO-261AA
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	200 pF @ 25 V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	13 nC @ 10 V
ประเภท FET	N-Channel
คุณสมบัติ FET	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	650 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	400mA (Ta)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SPN02N

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	SPN02N60C3 E6433	SPN03N60C3	SPN03N60S5	SPN02N60C3
ผู้ผลิต	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	200 pF @ 25 V	400 pF @ 25 V	440 pF @ 25 V	200 pF @ 25 V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	650 V	650 V	600 V	650 V
ชุด	CoolMOS™	CoolMOS™	CoolMOS™	CoolMOS™
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	13 nC @ 10 V	17 nC @ 10 V	12.8 nC @ 10 V	13 nC @ 10 V
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-261-4, TO-261AA	TO-261-4, TO-261AA	TO-261-4, TO-261AA	TO-261-4, TO-261AA
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	2.5Ohm @ 1.1A, 10V	1.4Ohm @ 2A, 10V	1.4Ohm @ 2A, 10V	2.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (สูงสุด)	±20V	±20V	±20V	±20V
คุณสมบัติ FET	-	-	-	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	10V	10V	10V	10V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	PG-SOT223-4	PG-SOT223-4	PG-SOT223-4	PG-SOT223-4
ประเภท FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	400mA (Ta)	700mA (Ta)	700mA (Ta)	400mA (Ta)
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	1.8W (Ta)	1.8W (Ta)	1.8W (Ta)	1.8W (Ta)
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	3.9V @ 80µA	3.9V @ 135µA	5.5V @ 135µA	3.9V @ 80µA
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SPN02N	SPN03N	SPN03N	SPN02N

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

SPN02N60C3 E6433 - Infineon Technologies

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

SPN02N60C3 E6433 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค