ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี B190Q-13-F
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - B190Q-13-F คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - B190Q-13-F
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 790 mV @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 90 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMA | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 155°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | B190 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated B190Q-13-F
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | B190Q-13-F | UGF1008G | 1N3288 | STTH806DIRG |
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | Taiwan Semiconductor Corporation | Microchip Technology | STMicroelectronics |
| เทคโนโลยี | Schottky | Standard | Standard | Standard |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 155°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 200°C | 175°C (Max) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 90 V | 600 V | 100 V | 600 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | DO-205AA, DO-8, Stud | TO-220-2 Insulated, TO-220AC |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMA | ITO-220AB | DO-205AA (DO-8) | TO-220AC ins |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 10A | 100A | 8A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 790 mV @ 1 A | 1.7 V @ 10 A | 1.2 V @ 200 A | 1.85 V @ 8 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tube | Bulk | Tube |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Stud Mount | Through Hole |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | B190 | UGF1008 | 1N3288 | STTH806 |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล B190Q-13-F PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ B190Q-13-F - Diodes Incorporated
UGF1008GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 10A ITO220AB1N3288Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIERSTTH806DIRGSTMicroelectronicsDIODE GP 600V 8A TO220AC INS
B1931USD-20D-000614Harvatek Corporation
MR752GonsemiDIODE GP 200V 6A MICRODE BUTTONB190BQ-13-FDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 90V 1A SMB
1N6642USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 300MA D-5D
MBRB8H100T4GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 8A D2PAK
ZHCS756TADiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 60V 750MA SOT23-3
JANTX1N5620USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 800V 1A D-5A
S3M-E3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 3A DO214ABB190B-13-FDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 90V 1A SMB
S1M R3GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC1N3296ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER
VS-50WQ10FNTRLPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAKB190-13-FDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 90V 1A SMA1N2128ARMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 50V 70A DO5S30640Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 85A DO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที