ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี STTH806DIRG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - STTH806DIRG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - STTH806DIRG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.85 V @ 8 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC ins | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 55 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 Insulated, TO-220AC | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 8 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STTH806 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics STTH806DIRG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | STTH806DIRG | STTH810DI | STTH803D | STTH802D |
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STTH806 | STTH810 | STTH803 | STTH802 |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | 8A | 8A | 8A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 1000 V | 300 V | 200 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.85 V @ 8 A | 2 V @ 8 A | 1.25 V @ 8 A | 1.05 V @ 8 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 Insulated, TO-220AC | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC ins | TO-220Ins | TO-220AC | TO-220AC |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 55 ns | 85 ns | 35 ns | 30 ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 8 µA @ 600 V | 5 µA @ 1000 V | 20 µA @ 300 V | 6 µA @ 200 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STTH806DIRG PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ STTH806DIRG - STMicroelectronics
STTH802G MOSSTMicroelectronicsSTTH810DISTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 1KV 8A TO220InsSTTH803GSTMicroelectronicsSTTH803DSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 300V 8A TO220ACSTTH802DSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
STTH803G-TRSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 300V 8A D2PAKSTTH806TTIF5STMicroelectronicsSTTH810GSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 1KV 8A D2PAKSTTH802GSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 200V 8A D2PAKSTTH806G-TRSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 8A D2PAKSTTH810DSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 1KV 8A TO220ACSTTH806DSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACSTTH802G-TRSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 200V 8A D2PAKSTTH810FPSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 1KV 8A TO220FPAC
STTH80S06WSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 80A DO247STTH802FPSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 200V 8A TO220FPACSTTH806DTISTMicroelectronicsDIODE GP 600V 8A TO220AC INS
STTH806TTISTMicroelectronicsDIODE ARRAY GP 600V 8A TO220AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที