Name: Diodes Incorporated DMHC10H170SFJ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMHC10H170SFJ-13

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Diodes Incorporated
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	3V @ 250µA
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	V-DFN5045-12
ชุด	-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	160mOhm @ 5A, 10V
เพาเวอร์ - แม็กซ์	2.1W
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	12-VDFN Exposed Pad
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	1167pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	9.7nC @ 10V
คุณสมบัติ FET	-
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	100V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	2.9A, 2.3A
องค์ประกอบ	2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	DMHC10

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	DMHC10H170SFJ-13	IRFH4255DTRPBF	SI4590DY-T1-GE3	FDME1023PZT
ผู้ผลิต	Diodes Incorporated	Infineon Technologies	Vishay Siliconix	onsemi
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	9.7nC @ 10V	15nC @ 4.5V	11.5nC @ 10V	7.7nC @ 4.5V
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	160mOhm @ 5A, 10V	3.2mOhm @ 30A, 10V	57mOhm @ 2A, 10V	142mOhm @ 2.3A, 4.5V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	-	MOSFET (Metal Oxide)
คุณสมบัติ FET	-	Logic Level Gate	-	Logic Level Gate
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	12-VDFN Exposed Pad	8-PowerVDFN	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	6-UFDFN Exposed Pad
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	2.9A, 2.3A	64A, 105A	3.4A, 2.8A	2.6A
เพาเวอร์ - แม็กซ์	2.1W	31W, 38W	2.4W, 3.4W	600mW
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	V-DFN5045-12	PQFN (5x6)	8-SOIC	6-MicroFET (1.6x1.6)
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	3V @ 250µA	2.1V @ 35µA	2.5V @ 250µA	1V @ 250µA
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	DMHC10	IRFH4255	SI4590	FDME1023
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	1167pF @ 25V	1314pF @ 13V	360pF @ 50V	405pF @ 10V
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	100V	25V	100V	20V
องค์ประกอบ	2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)	2 N-Channel (Dual)	N and P-Channel	2 P-Channel (Dual)
ชุด	-	HEXFET®	TrenchFET®	PowerTrench®

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

DMHC10H170SFJ-13 - Diodes Incorporated

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

DMHC10H170SFJ-13 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค