ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี GBJ1510-F
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - GBJ1510-F คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - GBJ1510-F
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1 kV | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.05 V @ 7.5 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBJ | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBJ |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 15 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBJ1510 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Affected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated GBJ1510-F
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | GBJ1510-F | GBJ1508 | GBJ15K | GBJ1510A |
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | SMC Diode Solutions | GeneSiC Semiconductor | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBJ | GBJ | GBJ | 4KBJ |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 1000 V | 10 µA @ 800 V | 10 µA @ 800 V | 5 µA @ 1000 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBJ | 4-ESIP | 4-SIP, GBJ | 4-ESIP, KBJ |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 15 A | 15 A | 15 A | 15 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBJ1510 | GBJ1508 | GBJ15 | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.05 V @ 7.5 A | 1.1 V @ 7.5 A | 1.05 V @ 7.5 A | 1 V @ 7.5 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1 kV | 800 V | 800 V | 1 kV |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล GBJ1510-F PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ GBJ1510-F - Diodes Incorporated
GBJ1508SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 800V 15A GBJGBJ15KGeneSiC Semiconductor800V 15A GBJ SINGLE PHASE BRIDGEGBJ1510AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 15A 6KBJGBJ1508-FDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 800V 15A GBJ
GBJ15MGood-Ark SemiconductorBRIDGE RECTIFIER, GENERAL PURPOS
GBJ1510HY Electronic (Cayman) LimitedGLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIE
GBJ15MSURGE15A -1000V - GBJ - BRIDGE
GBJ1508Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 800V 15A 6KBJ
GBJ1508/RS2006MLITEONGBJ1508FHY Electronic (Cayman) LimitedGLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIEGBJ15JSURGE15A -600V - GBJ - BRIDGEGBJ2002-FDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 200V 20A GBJGBJ1510SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 15A GBJGBJ1510Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 15A GBJGBJ15L06LITEONGBJ15MGeneSiC Semiconductor1000V 15A GBJ SINGLE PHASE BRIDG
GBJ1510MDDRECTIFIER BRIDGE 15A 1000V GBJGBJ15JGeneSiC Semiconductor600V 15A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที