ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี GBJ2002-F
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - GBJ2002-F คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - GBJ2002-F
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 200 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.05 V @ 10 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBJ | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBJ |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 20 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBJ2002 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated GBJ2002-F
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | GBJ2002-F | GBJ15J | GBJ15M | GBJ2006 |
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | SURGE | SURGE | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.05 V @ 10 A | 1 V @ 7.5 A | 1 V @ 7.5 A | 1 V @ 1 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 600 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bag | Bag | Tube |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 20 A | 3.5 A | 3.5 A | 20 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBJ2002 | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBJ | 4-SIP, KBJ | 4-SIP, KBJ | 4-SIP, GBJ |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 200 V | 600 V | 1 kV | 600 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBJ | GBJ(5S) | GBJ(5S) | GBJ |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล GBJ2002-F PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ GBJ2002-F - Diodes Incorporated
GBJ15JSURGE15A -600V - GBJ - BRIDGEGBJ15MSURGE15A -1000V - GBJ - BRIDGEGBJ2006Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 600V 20A 6KBJ
GBJ15JGeneSiC Semiconductor600V 15A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
GBJ15MGood-Ark SemiconductorBRIDGE RECTIFIER, GENERAL PURPOS
GBJ15L06LITEONGBJ15MGeneSiC Semiconductor1000V 15A GBJ SINGLE PHASE BRIDG
GBJ2006HY Electronic (Cayman) LimitedGLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIEGBJ1510-FDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 15A GBJGBJ15KGeneSiC Semiconductor800V 15A GBJ SINGLE PHASE BRIDGEGBJ2006-FDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 600V 20A GBJ
GBJ2005Diodes Incorporated
GBJ2006SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 600V 20A GBJ
GBJ2008Yangjie Technology6KBJ 800V 20.0A Diodes BridgeGBJ2008SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 800V 20A GBJ
GBJ1510AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 15A 6KBJGBJ2002FDiodes IncorporatedGBJ2006Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 600V 20A GBJ| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที