ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MURS460C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - MURS460C คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - MURS460C
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.28 V @ 4 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMC | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AB, SMC | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated MURS460C
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MURS460C | MURS360T3G | MURS480ET3G | MURS360S-M3/52T |
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | onsemi | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AB, SMC | DO-214AB, SMC | DO-214AB, SMC | DO-214AA, SMB |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMC | SMC | SMC | DO-214AA (SMB) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.28 V @ 4 A | 1.25 V @ 3 A | 1.85 V @ 4 A | 1.45 V @ 3 A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns | 75 ns | 100 ns | 75 ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4A | 3A | 4A | 1.5A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V | 25 µA @ 800 V | 5 µA @ 600 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 800 V | 600 V |
| ชุด | - | - | SWITCHMODE™ | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MURS460C PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ MURS460C - Diodes Incorporated
MURS360T3GonsemiDIODE GEN PURP 600V 3A SMC
MURT20060PLRIXFNIGBT ModuleMURT200A60IXFNIGBT Module
MURT20020GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 200V 100A 3TOWERMURT20060GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 600V 100A 3TOWERMURS480ET3GonsemiDIODE GEN PURP 800V 4A SMCMURS360S-M3/52TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AAMURT20060PLIXFNIGBT ModuleMURS440GOOD-ARK
MURS360ST3GAMI Semiconductor/onsemiMURT201120IXFNIGBT ModuleMURT200120DACOIGBT ModuleMURS360T3AMI Semiconductor/onsemiMURT20040GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 400V 100A 3TOWER
MURS360S-E3/52Electro-Films (EFI) / VishayMURS360S-E3/52TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AAMURS420LGE
MURS460Yangjie TechnologySMC 600V 4.0A Diodes Rectifier| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที