ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MURT20060
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MURT20060 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MURT20060
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 100 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Three Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 160 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Three Tower | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100A |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | เป็นไปตาม RoHS |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MURT20060
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MURT20060 | MURT30020 | MURT30040 | MURT20040 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 200 V | 400 V | 400 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 100 A | 1.3 V @ 150 A | 1.35 V @ 150 A | 1.35 V @ 100 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 50 V | 25 µA @ 50 V | 25 µA @ 50 V | 25 µA @ 50 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Three Tower | Three Tower | Three Tower | Three Tower |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Three Tower | Three Tower | Three Tower | Three Tower |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100A | 150A | 150A | 100A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 160 ns | 100 ns | 150 ns | 90 ns |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MURT20060 PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MURT20060 - GeneSiC Semiconductor
MURT300120IXFNIGBT ModuleMURT30020GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 200V 150A 3TOWERMURT30040GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 400V 150A 3TOWERMURT200120DACOIGBT ModuleMURT300A60IXFNIGBT ModuleMURT201120IXFNIGBT ModuleMURT200A60IXFNIGBT ModuleMURT20040GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 400V 100A 3TOWER
MURS480ET3GonsemiDIODE GEN PURP 800V 4A SMC
MURS460CDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 600V 4A SMC TR 3KMURT20060PLRIXFNIGBT ModuleMURT20020GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 200V 100A 3TOWER
MURS460Yangjie TechnologySMC 600V 4.0A Diodes RectifierMURT20060PLIXFNIGBT ModuleMURS440GOOD-ARKMURS420LGEMURT30060GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 600V 150A 3TOWERMURS360T3GonsemiDIODE GEN PURP 600V 3A SMC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที