ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RABF210-13
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - RABF210-13 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - RABF210-13
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1 kV | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 2 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 4-SOPA | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SMD, Gull Wing |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RABF210 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Affected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated RABF210-13
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RABF210-13 | EDF1BS-E3/77 | RABS15M REG | BU2508-E3/45 |
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Taiwan Semiconductor Corporation | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1 kV | 100 V | 1 kV | 800 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 4-SOPA | DFS | ABS-L | isoCINK+™ BU |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2 A | 1 A | 1.5 A | 3.5 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 2 A | 1.05 V @ 1 A | 1 V @ 1.5 A | 1.05 V @ 12.5 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SMD, Gull Wing | 4-SMD, Gull Wing | 4-SMD, Gull Wing | 4-SIP, BU |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RABF210 | EDF1 | RABS15 | BU2508 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tray |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 100 V | 1 µA @ 1000 V | 5 µA @ 600 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล RABF210-13 PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ RABF210-13 - Diodes Incorporated
EDF1BS-E3/77Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DFS
RABBIT2000RABBITRAB908LRFSEMIRABBIT3000RABBITRABS15M REGTaiwan Semiconductor CorporationBRIDGE RECT 1P 1KV 1.5A ABS-LRABN-IIQZNOIGBT ModuleBU2508-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1P 800V 3.5A BU
MB6S-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1P 600V TO269AA
MB352WDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 200V 35A MB-W
MP256Rectron USABRIDGE RECT GLASS 600V 25A MP-25RAB908HRFSEMIRAB08220GFANYRABN-220ZLENOIGBT ModuleABS210-13Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A 4SOPARABN-22QZSiemensIGBT Module
DBD10G-TM-EonsemiBRIDGE RECT 1PHASE 600V 1ARAB916HRFSEMIRABN-22G2LNIECIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที