ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี S1MSP1-7
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - S1MSP1-7 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - S1MSP1-7
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerDI™ 123 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 1.2 µs |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | POWERDI®123 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 4pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | S1M |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated S1MSP1-7
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | S1MSP1-7 | S1MHE3/61T | S1MSWF-7 | S1MLWHRVG |
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diodes Incorporated | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V | 10 µA @ 1000 V | 1µA @ 1000V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1V @ 1A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | POWERDI®123 | DO-214AC, SMA | SOD-123F | SOD-123W |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | 1000 V | 1000 V | 1000V |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 4pF @ 4V, 1MHz | - | 6pF @ 4V, 1MHz | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | S1M | S1M | S1M | - |
| ชุด | - | Automotive, AEC-Q100 | Automotive, AEC-Q101 | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerDI™ 123 | DO-214AC (SMA) | SOD-123F | SOD123W |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 1.2 µs | 1.8 µs | 1 µs | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล S1MSP1-7 PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ S1MSP1-7 - Diodes Incorporated
S1MHE3-A/HElectro-Films (EFI) / VishayS1MHE3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO214ACS1MSWF-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123F
S1M_NLFairchild (onsemi)S1MLWHRVGTSC (Taiwan Semiconductor)DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123WS1MHE3-A/IElectro-Films (EFI) / VishayS1MWF-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123F
S1MHR2GTaiwan SemiconductorS1MS R3Taiwan SemiconductorS1MSWFQ-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123FS1ML R3Taiwan SemiconductorS1MHE3Electro-Films (EFI) / VishayS1MHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO214ACS1ML SHRVGTaiwan SemiconductorS1MLHRVGTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMAS1ML R2S1MSP1-FDiodes IncorporatedS1MHE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที