ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SBR2A30P1-7
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Diodes Incorporated - SBR2A30P1-7 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Diodes Incorporated - SBR2A30P1-7
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 450 mV @ 2 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | |
| เทคโนโลยี | Super Barrier | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerDI™ 123 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | SBR® | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | POWERDI®123 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 µA @ 30 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SBR2A30 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Diodes Incorporated SBR2A30P1-7
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SBR2A30P1-7 | SBR2545 | SBR2A40P1-7 | SBR2535 |
| ผู้ผลิต | Diodes Incorporated | Microchip Technology | Diodes Incorporated | Microchip Technology |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Stud Mount | Surface Mount | Stud Mount |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 µA @ 30 V | 2 mA @ 45 V | 100 µA @ 40 V | 2 mA @ 35 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | 45 V | 40 V | 35 V |
| เทคโนโลยี | Super Barrier | Standard | Super Barrier | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 450 mV @ 2 A | 580 mV @ 25 A | 500 mV @ 2 A | 580 mV @ 25 A |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | POWERDI®123 | DO-203AA, DO-4, Stud | POWERDI®123 | DO-203AA, DO-4, Stud |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerDI™ 123 | DO-4 (DO-203AA) | PowerDI™ 123 | DO-4 (DO-203AA) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2A | 30A | 2A | 30A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SBR2A30 | SBR25 | SBR2A40 | SBR25 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ชุด | SBR® | - | SBR® | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SBR2A30P1-7 PDF และเอกสาร Diodes Incorporated สำหรับ SBR2A30P1-7 - Diodes Incorporated
SBR2A40BLP-13Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1P 40V 2A DFN5060-4
SBR2M30P1Diodes IncorporatedSBR2545Microchip TechnologyRECTIFIERSBR2A150SA-13-FDiodes IncorporatedSBR2A40P1-7Diodes IncorporatedDIODE SBR 40V 2A POWERDI123SBR2A40P1-7-FDiodes IncorporatedSBR2A30P1-7-FDiodes IncorporatedSBR2535Microchip TechnologyRECTIFIERSBR2540Microchip TechnologyRECTIFIERSBR2A40P1Diodes IncorporatedSBR2A100SA-13-FDiodes IncorporatedSBR2A150SA-13Diodes Incorporated
SBR2A40SA-13Diodes IncorporatedDIODE SBR 40V 2A SMASBR2A30P1Diodes IncorporatedSBR2M30P1-7-FDiodes IncorporatedSBR2M30P1-7Diodes IncorporatedDIODE SBR 30V 2A POWERDI123SBR2530Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 30V 25A DO4SBR2M60S1F-7Diodes IncorporatedDIODE SBR 60V 2A SOD123F| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที